3伏特英特尔
®
高级+引导块闪存堆叠- CSP系列
表2中。
符号
3伏特英特尔
®
高级+引导块堆叠CSP球说明（第2页2 ）
TYPE
名称和功能
FLASH写入保护功能：
控制所述柔性锁定功能的锁定功能。
当F- WP＃为逻辑低电平时，所述向下锁定机构被启用
并标明锁相块
下无法通过软件来解锁。
F- WP ＃
输入
当F- WP＃为逻辑高电平时，向下锁定机构处于关闭状态
而此前块
锁定的，现在锁定，解锁，并通过软件锁定。之后， F- WP ＃去
低，任何块先前标记锁定向下恢复到那个状态。
SEE
对块锁定的详细信息。
FLASH电源：
[ 2.7 V - 3.3 V]耗材设备的核心业务能力。
闪存I / O电源：
[ 2.7 V - 3.3 V]耗材设备的I / O操作的能力。
SRAM电源：
[ 2.7 V - 3.3 V]耗材设备的操作能力。
SEE
电源的详细信息
连接。
编程/擦除电源：
[ 1.65 V - 3.3 V或11.4 V- 12.6 V]操作为
输入的逻辑电平来控制完整的闪存保护。供电加速闪存
在12V的编程和擦除操作
±
5 ％的范围内。这场球不能悬空。
低
F- V
PP
≤
V
PPLK
，以防止程序的所有内容，并擦除命令。
F- VCC
F- VCCQ
S- VCC
供应
供应
供应
F- VPP
输入/
供应
设置F- V
PP
= F -V
CC
在系统读取，编程和擦除操作。
在这种结构中，
F- V
PP
可以降低到1.65 V ，以允许从系统电源电阻或二极管压降。记
如果F- V
PP
是由一个逻辑信号，V驱动
IH =
1.65五，也就是说， F- V
PP
必须保持高于1.65 V至
执行在系统闪存的修改。
提高F- V
PP
至12 V
±
为更快的程序5％，在生产环境中抹去。
申请
12 V
±
5％至F -V的
PP
只能最多为1000个循环上的主块和2500进行
周期的参数块。 F- V
PP
可被连接到12伏，总共最多80小时。
F- VSS
S- VSS
NC
供应
供应
FLASH地面：
对于所有内部电路。所有输入接地
必须
进行连接。
SRAM地面：
对于所有内部电路。所有输入接地
必须
进行连接。
没有连接：内部器件内断开。
10
数据表
INTEL [ INTEL CORPORATION ]
