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RD38F1010C0ZTL0 参数 Datasheet PDF下载

RD38F1010C0ZTL0图片预览
型号: RD38F1010C0ZTL0
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内容描述: 3 VOLT英特尔?高级+引导?座闪存?记忆? ( C3) ?堆叠芯片? ScalPackage ? Familye [3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 70 页 / 1167 K
品牌: INTEL [ INTEL CORPORATION ]
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3伏特英特尔
®
高级+引导块闪存堆叠- CSP系列
闪存测试配置的元件值表
测试配置
2.7 V - 3.3 V的标准测试
C
L
(PF )
50
5.5
闪光交流特性。
表13.闪存AC特性读取操作
密度
产品
#
符号
参数
电压范围
R1
R2
R3
R4
R5
R6
R7
R8
R9
R10
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
PHQV
t
ELQX
t
GLQX
t
EHQZ
t
GHQZ
t
OH
读周期时间
地址输出延迟
F- CE #到输出延迟
F- OE #到输出延迟
F- RP #到输出延迟
F- CE #到输出中低Z
F- OE #到输出中低Z
F- CE #到输出中高Z
F- OE #到输出中高Z
从地址输出保持
F- CE #或F - OE #变化,
以先到为准科幻RST
2
2
2
2
2
0
0
0
20
20
0
1
1
70
70
70
20
150
0
0
25
20
0
最大
90
90
90
30
150
0
0
25
20
0
最大
2.7 V - 3.3 V
110
110
110
30
150
0
0
20
20
0
最大
70
70
70
20
150
0
0
20
20
最大
90
90
90
20
150
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
-70
16-Mbit
-90
-110
-70
32-Mbit
-90
单位
注意事项:
1, F- OE #可能会延迟到t
ELQV
–t
GLQV
的CE#没有对T的影响下降沿后
ELQV
2.采样,而不是100 %测试。
3.请参阅
4.参见图4 , “输入/输出参考波形”定时测量和最大允许输入转换28页
率。
数据表
29