8兆位SmartVoltage BOOT BLOCK闪存系列
1.2
主要特点
英特尔的SmartVoltage技术是最
在闪速柔性电压溶液
行业，提供两个独立的电压
电源引脚： V
CC
对于读操作，和V
PP
编程和擦除操作。分离
电源引脚允许系统设计人员使用
最佳的电压电平为他们的设计。
所有产品（ 28F800BV / CV ， 28F008BV ，
28F800CE和28F008BE ）提供
编程/擦除功能在5V或12V 。该
28F800BV / CV和28F008BV允许读取
随着V
CC
3.3
±
0.3V或5V ，而
28F800CE和28F008BE允许读取
随着V
CC
在2.7〜3.6V或5V 。由于许多
外观设计从闪存中读取大
的时间， 2.7V V百分比
CC
手术
可以提供极大的节省了功耗。如果阅读
性能是一个问题，但是， 5V V
CC
提供更快的读取访问时间。为
编程和擦除操作， 5V V
PP
操作不需要在系统
电压转换器，而12V V
PP
手术
提供更快的编程和擦除
情况下， 12V是可用的，如
制造或设计，其中12V为IN-
系统。为设计简单，但是，只是
挂钩V
CC
和V
PP
到相同的5V±10％
源。
该28F800 / 28F008B引导块闪光
内存系列是一个高性能的，
8兆位（ 8,388,608位）快闪记忆体系列
组织结构无论是
512 K字的16位各（仅28F800 ）
or
1024字节的每一个8位（ 28F800和
28F008B).
分别可擦除块，其中包括一个
硬件上锁的引导块（ 16,384
字节），两个参数块（ 8,192字节
的98,304个）和主块（1块
字节， 131,072字节七块）
定义的引导块闪存系列
架构。请参阅图4和图5为
存储器映射。每个块可以是
独立地擦除和编程
10万次，在商用温度或
10000次在扩展级温度。
引导块位于任顶部
（记为
-T
后缀）或底部（-B
地址映射的后缀）以
适应不同的微处理器
协议启动代码的位置。该
硬件上锁的引导块提供
内核代码的完整代码的安全性
用于系统的初始化。锁定
和引导块的解锁是
通过WP ＃和/或RP ＃控制（见
3.4获取详细信息） 。
产品预览
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