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初步
智能3高级启动块
字节宽
8 - MBIT （ 1024K ×8） ， 16 - MBIT （ 2056K ×8）
闪存系列
28F008B3 ， 28F016B3
柔性SmartVoltage技术
2.7V - 3.6V编程/擦除
2.7V - 3.6V读操作
12V V
PP
快速生产
程序设计
2.7V或1.8V的I / O选项
降低整体系统功耗
优化的块大小
8个8 KB的块数据，
顶部或底部位置
多达三十一64字节块
获取验证码
高性能
2.7V - 3.6V ： 120 ns的最大访问时间
块锁定
V
CC
通过WP ＃ -Level控制
低功耗
最大20 mA电流读
绝对的硬件保护
V
PP
= GND选项
V
CC
锁定电压
扩展温度操作
-40 ° C至+ 85°C
支持代码和数据存储
优化外商直接投资，闪存数据
集成软件
快速的程序挂起能力
快速擦除挂起功能
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扩展循环能力
万块擦除周期
自动字节编程和块
抹去
命令的用户界面
状态寄存器
SRAM兼容写接口
自动省电功能
复位/深度掉电
1 μA我
CC
典型
误写锁定
标准表面贴装包装
48-Ball
μBGA *
包
40引脚TSOP封装
足迹升级
从2-，4-和8-兆位升级
BOOT BLOCK
ETOX ™V （ 0.4
µ)
闪存技术
X8仅输入/输出架构
对于空间受限的8位
应用
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新的智能3高级启动块， Intel最新的0.4μ技术制造的，代表了一种功能 -
在整体的系统成本更低丰富的解决方案。 3智能闪存器件集成低电压能力
（ 2.7V读取，编程和擦除）高速，低功耗运行。几个新的功能已经
增加了，包括用于驱动所述的I / O在1.8V ，这显著降低了系统的有功功率和能力
接口1.8V控制器。一种新的分块机制允许代码和数据存储在单个设备内。
再加上英特尔开发的闪存数据集成（ FDI）的软件，你最有成本效益的，
目前市场上的单片码加数据存储解决方案。智能3高级启动块字节宽
产品将在40引脚TSOP和48球μBGA *封装。更多相关信息
产品系列可通过访问英特尔的WWW网页获得： http://www.intel.com/design/flcomp
1997年5月
订单号： 290605-001
INTEL [ INTEL CORPORATION ]
