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TE28F128J3A-150 参数 Datasheet PDF下载

TE28F128J3A-150图片预览
型号: TE28F128J3A-150
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内容描述: 英特尔StrataFlash闪存( J3 ) [Intel StrataFlash Memory (J3)]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 72 页 / 909 K
品牌: INTEL [ INTEL CORPORATION ]
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256 - Mbit的J3 ( X8 / X16 )
4.2
56引脚TSOP ( 32/64/128/256兆位)
图7.英特尔的StrataFlash
®
内存56引脚TSOP ( 32/64/128/256兆位)
3伏特英特尔
地层佛罗里达州灰
内存
28F160S3
NC
CE
1
NC
A
20
A
19
A
18
A
17
A
16
V
CC
A
15
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0
V
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RP #
A
11
A
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9
A
8
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A
7
A
6
A
5
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A
3
A
2
A
1
28F320J5
NC
CE
1
A
21
A
20
A
19
A
18
A
17
A
16
V
CC
(4)
A
15
A
14
A
13
A
12
CE
0
V
RP #
A
11
A
10
A
9
A
8
GND
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
32/64/128M
A
22
(1)
CE
1
A
21
A
20
A
19
A
18
A
17
A
16
V
CC
A
15
A
14
A
13
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12
CE
0
V
RP #
A
11
A
10
A
9
A
8
GND
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
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A
1
1
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44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
3伏特英特尔
地层佛罗里达州灰
内存
32/64/128M
A
24
(3)
WE#
OE #
STS
DQ
15
DQ
7
DQ
14
DQ
6
GND
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
CCQ
GND
DQ
11
DQ
3
DQ
10
DQ
2
V
CC
DQ
9
DQ
1
DQ
8
DQ
0
A
0
BYTE #
A
23
(2)
CE
2
28F320J5
NC
WE#
OE #
STS
DQ
15
DQ
7
DQ
14
DQ
6
GND
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
CCQ
GND
DQ
11
DQ
3
DQ
10
DQ
2
V
CC
(4)
DQ
9
DQ
1
DQ
8
DQ
0
A
0
BYTE #
NC
CE
2
28F160S3
WP #
WE#
OE #
STS
DQ
15
DQ
7
DQ
14
DQ
6
GND
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
CC
GND
DQ
11
DQ
3
DQ
10
DQ
2
V
CC
DQ
9
DQ
1
DQ
8
DQ
0
A
0
BYTE #
NC
NC
3伏特英特尔
地层佛罗里达州灰
®
内存
56引脚TSOP
标准引脚
14毫米×20mm的
顶视图
亮点引出线变化
注意事项:
1. A22上存在64点,128和256兆比特密度。在32兆位密度这个信号是一个无连接( NC) 。
2. A23上存在128兆位密度。在32位和64兆位密度这个信号是一个无连接( NC) 。
3. A24上存在256兆位密度。在32位, 64位和128兆位密度这个信号是一个无连接( NC) 。
4. V
CC
= 5 V± 10 %,为28F640J5 / 28F320J5 。
4.3
VF BGA Ballout ( 32和64兆位)
图8.英特尔的StrataFlash
®
内存VF BGA Ballout ( 32和64兆位)
1
A
A
14
B
A5
1
C
A
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A
17
E
2
3
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1
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12
A
9
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A
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A
5
A
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1
A
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6
A
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A
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1
A
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R#
P
W#
E
A
11
A
15
C
A3
1
A
10
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2
A1
2
A
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A
4
A
2
A
2
A
4
A
7
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2
A
22
A0
1
A
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A6
1
D
D
14
D
5
D1
1
D
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D
8
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E
A
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A
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C#
E
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8
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D
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15
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D
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D
15
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D
4
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C
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1
D
1
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E
O#
E
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1
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1
v C案例
C
D
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D
13
D
7
VS
S
V B A6 8
F G X
笔逐W- B出来: ED瓦特
Ø即
一个ID 0:N
V B A6x
F G
8
B TTO V W- B加入欧盟
Ø米即
所有的ID P
注意事项:
1. CE #相当于CE0 ,CE1和CE2内部接地。
2. A22存在于只有64兆密度。在32兆位密度,这个信号是一个无连接( NC) 。
在这个包不支持3 STS 。
4. X8在这个包不支持。
数据表
15