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TE28F128J3C-150 参数 Datasheet PDF下载

TE28F128J3C-150图片预览
型号: TE28F128J3C-150
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内容描述: 英特尔StrataFlash闪存( J3 ) [Intel StrataFlash Memory (J3)]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 72 页 / 909 K
品牌: INTEL [ INTEL CORPORATION ]
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英特尔的StrataFlash
®
存储器(J3)
256兆位( X8 / X16 )
数据表
产品特点
性能
- 110/115/120/150纳秒的初始访问速度
- 125 ns的初始访问速度( 256兆
密度只)
- 25 ns的异步页模式读
- 30 ns的异步页面模式读取
(密度的256Mbit只)
• 32字节的写缓冲区
每字节有效-6.8微秒
编程时间
软件
- 编程和擦除暂停支持
- 闪存数据集成(FDI ) ,普通
闪存接口( CFI )兼容
安全
• 128位保护寄存器
-64位的唯一设备标识符
-64位用户可编程OTP细胞
•绝对保护与V
= GND
- 个别块锁定
- 块擦除过程/程序锁定
电源转换
架构
- 多级单元技术:高
密度低成本
- 高密度对称的128字节
-256兆( 256块) ( 0.18微米只)
-128兆( 128块)
-64兆位( 64块)
-32兆位( 32块)
质量和可靠性
- 工作温度:
-40 ° C至+85°C
- 每块100K最小擦除周期
- 0.18微米ETOX ™VII过程( J3C )
- 0.25微米ETOX ™ VI过程( J3A )
包装和电压
- 56引脚TSOP封装
- 64球英特尔
®
简单的BGA封装
- 提供无铅封装
- 48球英特尔
®
VF BGA封装( 32
64兆位) ( X16只)
— V
CC
=
2.7 V至3.6 V
— V
CCQ
= 2.7 V至3.6 V
充分利用英特尔的0.25和0.18微米, 2位每单元技术,英特尔的StrataFlash
®
存储器(J3)
器件提供2倍于1X位的空间,主流性能的新功能。提供在256
兆位(32兆字节) , 128兆比特( 16M字节),64兆位和32兆位密度, J3的设备带来可靠,两比特
每单元存储技术闪存细分市场。优点包括更密度在更小的空间,高速
接口,成本最低的每比特的NOR器件,用于代码和数据存储的支持,并轻松迁移到未来
设备。
使用相同的基于NOR的ETOX ™技术为Intel的1位每单元产品, J3设备需要
优势超过十亿台的闪存制造经验,自1987年以来其结果是, J3组件
是理想的代码和数据应用中的高密度和低成本的要求。例子包括
网络,电信,数字机顶盒,音频记录和数字成像。
通过应用FlashFile ™存储系列引脚, J3内存组件允许简单的设计迁移
现有的字宽FlashFile内存( 28F160S3和28F320S3 ) ,和第一代英特尔的StrataFlash
®
存储器( 28F640J5和28F320J5 )设备。
J3的内存组件提供新一代的向前兼容的软件支持。通过使用
通用闪存接口( CFI )和可扩展指令集( SCS ) ,客户可以利用密度
升级和未来英特尔的StrataFlash优化写性能
®
存储器装置。英特尔制造
®
0.18微米ETOX ™VII ( J3C )和0.25微米ETOX ™ VI ( J3A )工艺技术, J3存储设备
提供的质量和可靠性的最高水平。
注意:
本文件包含有关新产品的生产信息。规格有
如有更改,恕不另行通知。验证与您当地的英特尔销售办事处,你有最新的
敲定一个设计之前的数据表。
订单号: 290667-021
2005年3月