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TE28F320C3BC90 参数 Datasheet PDF下载

TE28F320C3BC90图片预览
型号: TE28F320C3BC90
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内容描述: 高级+引导块闪存( C3 ) [Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 68 页 / 1132 K
品牌: INTEL [ INTEL CORPORATION ]
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目录
修订历史
日期
调整
05/12/98
VERSION
-001
蓝本
48引脚TSOP封装图变化
μBGA
包图变
32 - Mbit的订购信息的变化(第6章)
CFI查询结构输出变动表(表C2 )
CFI主要厂商特有的扩展查询表更改为可选
功能和命令支持改变(表8 )
保护注册地址变更
I
PPD
测试条件说明(第4.3节)
μBGA
包装顶部标记信息的澄清(第6章)
字节宽度的保护注册地址变更
V
IH
规格变化( 4.3节)
V
IL
最高规格的变化(第4.3节)
I
CCS
测试条件说明(第4.3节)
增加的命令序列错误注(表7 )
从数据表改名
3伏高级启动区块, 8位,16位, 32兆位闪存
存储器系列。
加入叔
BHWH
/t
BHEH
和T
QVBL
( 4.6节)
编程保护寄存器说明(第3.4.2节)
拆下来x8配置的所有引用
从前面的页面中删除提及40引脚TSOP
新增简易BGA封装( 1.2节)
取出1.8 V的I / O引用
锁定操作流程图
改变(附录B)
加入叔
WHGL
( 4.6节)
改变CFI主要供应商特定扩展查询(附录C )
我最大
CCD
变更为25 μA
表10 ,补充说明,表示V
CC
MAX = 3.3 V 32 - Mbit的器件
增加了规格为0.18微米的产品提供整个文件
增加了64兆位密度
的32兆80ns的设备,以70ns的设备更改的引用,以反映
更快的产品供应。
10/12/00
-010
改变VccMax = 3.3V参考,以指示受影响的产品是
0.25μm的32兆设备。
在整个文档中次要的文本编辑。
增加了1.8V的I / O操作的文件适用
新增TSOP PCN '引脚1 “指示信息
从“ GND ”到“ VSSQ ”在8× 8的BGA引脚图改变的引用
7/20/01
-011
加入“ VSSQ ”到引脚说明信息
在直流特性表中删除0.4微米引用
纠正64兆包订购信息从48 UBGA到48 VFBGA
纠正'底部'参数块大小8MB的设备上8× 4KWords
在整个文档中次要的文本编辑
10/02/01
2/05/02
-012
-013
增加了规格为0.13微米的产品提供整个文件
纠正Iccw / IPPW / Icces / Ippes值。
增加了机械性能的16兆和64兆
在整个文档中次要的文本编辑。
描述
07/21/98
-002
10/03/98
-003
12/04/98
12/31/98
02/24/99
-004
-005
-006
06/10/99
-007
03/20/00
04/24/00
-008
-009
数据表
5