欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

TE28F320C3BC70 参数 Datasheet PDF下载

TE28F320C3BC70图片预览
型号: TE28F320C3BC70
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 高级+引导块闪存( C3 ) [Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 68 页 / 1132 K
品牌: INTEL [ INTEL CORPORATION ]
 浏览型号TE28F320C3BC70的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TE28F320C3BC70的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TE28F320C3BC70的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TE28F320C3BC70的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TE28F320C3BC70的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TE28F320C3BC70的Datasheet PDF文件第7页浏览型号TE28F320C3BC70的Datasheet PDF文件第8页浏览型号TE28F320C3BC70的Datasheet PDF文件第9页  
英特尔
£
高级+引导块闪存
存储器(C3)中
28F800C3 , 28F160C3 , 28F320C3 , 28F640C3 ( X16 )
数据表
产品特点
柔性SmartVoltage技术
- 2.7 V - 3.6 V读/编程/擦除
- 12 V的快速生成编程
1.65 V - 2.5 V或2.7 V - 3.6 V的I / O选项
- 降低整体系统功耗
高性能
- 2.7 V - 3.6 V : 70 ns的最大访问时间
优化的架构代号加
数据存储
- 八4千字块,顶部或底部
参数启动
- 长达一百二十七个32
K字块
- 快速的程序挂起能力
- 快速擦除挂起功能
灵活的块锁定
- 锁定/解锁任何块
- 完全的保护上电时
- WP #引脚用于硬件块保护
低功耗
- 9 mA典型阅读
- 7有一个自动的典型待机
省电功能( APS )
扩展温度操作
= -40 ° C至+85°C
128位注册保护
?? 64位唯一设备标识符
?? 64位用户可编程OTP细胞
扩展循环能力
•最低100000块擦除周期
软件
•英特尔
®
闪存数据集成( FDI)
- 支持顶部或底部启动存储,
流媒体数据(例如,语音)
- 英特尔公司基本命令集
??通用闪存接口( CFI )
标准表面贴装包装
- 48球
μBGA * / VFBGA
- 64 - 易球BGA封装
- 48引脚TSOP封装
ETOX ™ VIII( 0.13
µm)
FL灰
技术
- 16 , 32兆
ETOX ™VII ( 0.18
µm)
闪存技术
- 16 , 32 , 64兆
ETOX ™ VI ( 0.25
µm)
闪存技术
- 8 , 16和32兆位
英特尔
®
高级+书座快闪记忆体( C3 )设备上,英特尔最新的制造
0.13
µm
和0.18
µm
技术,代表了低功耗应用功能丰富的解决方案。
在C3器件集成了低电压能力( 3 V读取,编程和擦除)与高
速度快,低功耗运行。灵活的块锁定允许任何块可以独立锁定
或解锁。再加上英特尔
®
闪存数据集成( FDI)的软件,你有一个成本
有效的,灵活的,单一的代码加上数据存储解决方案。英特尔
®
高级+引导块闪存
存储器( C3)的产品将在48引脚TSOP , 48球的CSP可用, 64球的BGA易
包。该产品系列的更多信息可通过访问英特尔获得
®
Flash网站: http://www.intel.com/design/flash 。
注意:
此规格如有变更,恕不另行通知。验证与您当地的英特尔销售
办公室,你有一个定案之前,设计最新的数据表。
订单号: 290645-017
2003年10月