欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购
热门品牌
最新上传

GCM188L81C124KA37#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM216R71H123KA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

BM60059FV-C

内置绝缘电压2500Vrms、输入输出延迟时间450ns、最小输入脉冲宽度400ns的绝缘元件的栅极驱动器。内置故障信号输出功能、低电压时误动作防止功能(UVLO)、短路保护功能(SCP)、米勒钳位功能、温度监测功能、开关控制、栅极恒流驱动功能、栅极状态监视功能。
开关栅极驱动脉冲驱动器
0 ROHM

BSZ063N04LS6

The OptiMOS™ 6 power MOSFET 40V family is optimized for a variety of applications and circuits, such as synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) in servers, desktop PCs, wireless chargers, quick chargers and ORing circuits. Improvements in on-state resistance (RDS(on)) and figure of merits (FOM - RDS(on) x Qg and Qgd) enable designers to increase efficiency, allowing easier thermal design and less paralleling, leading to system cost reduction.
PC
0 INFINEON

GCM155L81E682KA37#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

BD35395FJ-M

BD35395FJ-M是适用于JEDEC标准DDR1/2/3/3L-SDRAM的终端稳压器。内置N-MOSFET,漏型/源型最大可提供1A电流的线性电源。内部的OP-AMP采用高速设计,实现了优异的瞬态响应特性。为驱动内部的N-MOSFET,需要3.3V或5.0V偏压电源。为确保JEDEC规定的电压精度,本产品拥有独立的基准输入引脚(VDDQ)和独立的反馈引脚(VTTS),实现了优异的输出电压精度和负载调整率。Power Supply Reference BoardFor Xilinx’s FPGA Spartan-7
驱动动态存储器双倍数据速率稳压器
0 ROHM

GRM1555C1H1R7BA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
1 MURATA

GRM216B11A224KC01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

FDMF6823A

超小型,高性能,高频率 DrMOS 模块
服务器主板节能技术驱动接口集成电路驱动器
1 ONSEMI

GA243DR7E2472MW01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GJM0225G1E7R6BB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GJM0335C1H5R7BB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM21BR11C124MA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM011R60G103KE01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

IPB018N06NF2S

Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 60 V features low RDS(on) of 1.8 mOhm, addressing a broad range of applications from low- to high-switching frequency.
暂无信息
5 INFINEON