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TE28F320C3BC70 参数 Datasheet PDF下载

TE28F320C3BC70图片预览
型号: TE28F320C3BC70
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内容描述: 高级+引导块闪存( C3 ) [Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 68 页 / 1132 K
品牌: INTEL [ INTEL CORPORATION ]
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英特尔
£
高级+引导块闪存( C3 )
附录B流量排行榜
图13. Word程序流程图
Word程序步骤
开始
公共汽车
命令
手术
(设置)
评论
写0X40 ,
字地址
写数据,
字地址
阅读状态
注册
程序数据的0x40 =
格局
地址=定位到程序
数据
数据=数据到程序
地址=定位到程序
状态寄存器的数据:切换CE #或
OE #更新状态寄存器
检查SR [ 7 ]
1 = WSM就绪
0 = WSM忙
(确认)
节目
暂停
No
是的
空闲
SR [7] =
1
0
暂停?
重复随后的Word程序操作。
满状态寄存器检查可以在每个节目之后进行,或
之后程序的一系列操作。
最后一次操作后写为0xFF设置为读阵列
状态。
满状态
(如果希望)
节目
完整
全状态检查程序
阅读状态
注册
公共汽车
命令
手术
空闲
SR [3] =
0
1
1
评论
检查的SR [3]:
1 = V
P P
错误
检查SR [4]:
1 =数据程序错误
检查SR [1]:
1 =块锁定;操作中止
V
P P
范围
错误
空闲
节目
错误
SR [4] =
0
空闲
SR [1] =
0
1
设备
保护错误
SR [ 3 ]必须写状态机前被清除会
让更多的程序尝试。
如果检测到错误,则清除状态寄存器之前
持续经营业务 - 只有清除居留制注册
命令清除状态寄存器错误位。
节目
成功
52
数据表