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TE28F320C3BC70 参数 Datasheet PDF下载

TE28F320C3BC70图片预览
型号: TE28F320C3BC70
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内容描述: 高级+引导块闪存( C3 ) [Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 68 页 / 1132 K
品牌: INTEL [ INTEL CORPORATION ]
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英特尔
£
高级+引导块闪存( C3 )
附录D机械规格
图19 。
µ
BGA *和VF BGA封装图纸&尺寸
R0
球A1
角落
D
S1
球A1
角落
1
A
B
2
3
4
5
6
7
8
A
B
C
D
E
F
8
7
6
5
4
3
2 1
S2
E
C
D
E
F
e
b
顶视图 - 凸点边向下
底部视图-Bump朝上
A
1
A2
A
座位
计划
Y
SIDE VIEW
注:图未按比例
尺寸
包装高度
球的高度
封装本体厚度
球(铅)宽
包体长度8M ( 0.25 )
包体长度16M ( 0.25 / 0.18 / 0.13 ), 32M ( 0.25 / 0.18 / 0.13 )
包体长度64M ( 0.18 )
包体宽8M ( 0.25 )
包体宽16M ( 0.25 / 0.18 / 0.13 ), 32M ( 0.18 / 0.13 )
包体宽32M ( 0.25 )
包体宽64M ( 0.18 )
沥青
球(铅)计数8M , 16M
球(铅)计数32M
球(铅)计数64M
飞机座位共面性
角落里的D 8M球A1的距离( 0.25 )
角球到球的距离A1的D 16M ( 0.25 / 0.18 / 0.13 ), 32M ( 0.18 / 0.13 )
角落里的D 64M A1球的距离( 0.18 )
角落的E 8M球A1的距离( 0.25 )
角球到球的距离A1的E 16M ( 0.25 / 0.18 / 0.13 ), 32M ( 0.18 / 0.13 )
角落的E 32M A1球的距离( 0.25 )
角落的E 64M A1球的距离( 0.18 )
符号
A
A1
A2
b
D
D
D
E
E
E
E
e
N
N
N
Y
S1
S1
S1
S2
S2
S2
S2
0.150
0.325
7.810
7.186
7.600
6.400
6.864
10.750
8.900
MILLIMETERS
最大
1.000
0.665
0.375
7.910
7.286
7.700
6.500
6.964
10.850
9.000
0.750
46
47
48
1.330
1.018
1.225
1.375
1.607
3.550
2.625
0.0059
英寸
最大
0.0394
0.425
8.010
7.386
7.800
6.600
7.064
10.860
9.100
0.0128
0.2829
0.2992
0.2520
0.2702
0.4232
0.3504
0.0262
0.0148
0.2868
0.3031
0.2559
0.2742
0.4272
0.3543
0.0295
46
47
48
0.0524
0.0401
0.0482
0.0541
0.0633
0.1398
0.1033
0.0167
0.2908
0.3071
0.2598
0.2781
0.4276
0.3583
1.230
0.918
1.125
1.275
1.507
3.450
2.525
0.100
1.430
1.118
1.325
1.475
1.707
3.650
2.725
0.0484
0.0361
0.0443
0.0502
0.0593
0.1358
0.0994
0.0039
0.0563
0.0440
0.0522
0.0581
0.0672
0.1437
0.1073
64
数据表