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TE28F320C3BD70 参数 Datasheet PDF下载

TE28F320C3BD70图片预览
型号: TE28F320C3BD70
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内容描述: 高级+引导块闪存( C3 ) [Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 68 页 / 1132 K
品牌: INTEL [ INTEL CORPORATION ]
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英特尔
£
高级+引导块闪存( C3 )
1.0
1.1
介绍
文件用途
该数据表包含了规格为Intel
®
高级+引导块闪存
( C3)器件系列。这些闪存添加功能,如即时块锁定和保护
寄存器可以用来提高系统的安全性。
1.2
命名法
0x
0b
字节
千字
Mword
Kb
KB
Mb
MB
APS
OTP
PR
珠三角
PLR
俄罗斯足协
SR
SRD
WSM
十六进制的前缀
二进制乘数词头
8位
16位
1024字
1,048,576字
1024位
1024字节
1,048,576位
1,048,576字节
自动节能
命令的用户界面
一次性可编程
保护注册
保护寄存器数据
保护锁注册
留作将来使用
状态寄存器
状态寄存器的数据
写状态机
1.3
约定
条款
信号
常常可互换使用,指与外部信号连接
在包装上。 (球是用于CSP术语) 。
组成员支架:
方括号将用于指定组成员身份或向
定义一组信号具有相似功能(即A [21: 1] ,SR [4: 1])
设置:
当参照寄存器,术语集合的装置,所述位是逻辑1 。
CLEAR :
当参照寄存器的术语明确表示该位是一个逻辑0 。
块:
一组位(或字) ,能同时擦除一个区块擦除指令。
主座:
含有32K字块。
参数块:
包含4 K字块。
数据表
7