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超前信息
字宽
FlashFile ™ Memory系列
28F160S3 ， 28F320S3
包含扩展温度规格
两个32字节的写缓冲器
2.7
µs
每字节有效
编程时间
低电压操作
2.7V或3.3V V
CC
2.7V ， 3.3V或5V V
PP
100纳秒读取时间（ 16兆）
110纳秒读取时间（ 32兆）
高密度对称阻止
架构
32个64字节擦除块（ 16兆）
64 64字节擦除块（ 32兆）
系统性能增强
STS状态输出
行业标准包装
μBGA *
封装， SSOP和
TSOP （ 16兆）
μBGA *
封装和SSOP （ 32兆）
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交叉兼容命令支持
英特尔标准命令集
通用闪存接口（ CFI ）
可扩展指令集（ SCS ）
100000块擦除周期
增强的数据保护功能
绝对保护与V
PP
= GND
灵活的块锁定
块擦除/编程锁定
电源转换期间
配置x8或x16 I / O
自动化暂停选项
计划暂停阅读
块擦除挂起到计划
块擦除挂起阅读
ETOX ™V非易失性闪存
技术
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英特尔的字宽FlashFile ™存储系列产品提供高密度，低成本，非易失性，读/写存储
解了广泛的应用。该字宽FlashFile的回忆都可以在不同的
密度在同一封装类型。其对称地封架构，灵活的电压，并延长
骑自行车提供适合居住闪存阵列，西姆斯和存储卡高度灵活的组件。
增强的暂停功能，提供代码或数据存储应用的理想解决方案。对于安全
代码存储应用，如网络，其中代码被直接执行的总分闪光或
下载到DRAM中，字宽FlashFile的回忆提供了三个级别的保护：绝对保护
随着V
PP
在GND ，有选择性的块锁和程序/擦除过程中的功率转换锁定。这些
替代方案为设计人员提供其代码的安全性需求的最终控制权。
该系列产品在英特尔的0.4制造
µm
ETOX ™V工艺技术。它配备了
行业标准的56引脚SSOP和
μBGA
包。此外，在16兆设备处于可用
工业标准的56引脚TSOP封装。
1997年6月
订单号： 290608-001
INTEL [ INTEL CORPORATION ]
