4兆位SmartVoltage BOOT块系列
编程和擦除操作， 5V V
PP
操作不需要在系统电压
器，而12V V
PP
操作提供更快
编程和擦除的情况下为12V
可用，例如制造或设计中，如果
12V是在系统。为设计简单，然而，
刚刚挂钩V
CC
和V
PP
到相同的5V±10％
源。
该28F400 / 28F004B引导块闪存
家族是一个高性能， 4兆位（ 4,194,304位）
闪存家庭组织为任
256 K字的16位各（仅28F400 ）或
8位512千字节（每28F400和28F004B ） 。
分别可擦除块，其中包括一个硬件
上锁的引导块（ 16,384字节），两个参数
块（每8,192个字节）和主要模块（ 1
的98,304字节， 131,072三个街区块
字节） ，定义引导块闪存系列
架构。参见图7和8，用于存储
地图。每个块可独立擦除和
编程100,000次在商业
温度或10,000次延长
温度。
引导块位于任一顶端（记
by
-T
后缀）或地址的底部（-B后缀）
地图以适应不同
微处理器协议启动代码的位置。
在硬件上锁的引导块提供
所需内核代码的完整代码安全
对系统进行初始化。锁定和解锁的
引导块是通过WP ＃和/或RP ＃控制
（参见3.4节） 。
命令用户界面（CUI ）作为
接口
间
该
微处理器
or
微控制器和的内部运作
引导块闪存产品。内部
写状态机（ WSM ）自动执行
算法和必要的程序定时
和擦除操作，包括验证，
由此unburdening微处理器或
微控制器的这些任务。状态寄存器
（ SR ）表示WSM以及它是否状态
成功地完成所需的程序或
擦除操作。
编程和擦除允许自动化和程序
擦除操作，以使用业界被执行
标准的双写的命令序列，以在CUI 。
数据写在字进行（ 28F400系列）
或字节（ 28F400或28F004B家庭）递增。
在闪速存储器中的每个字节或字可以是
独立于其他存储器编程
位置，不像擦除，擦除其中的所有位置
内同时一个块。
4兆位SmartVoltage引导块闪存
系列还设计有自动电源
储蓄（ APS）功能，可最大程度地减少系统
电池的漏电流，从而允许非常低的功率
设计。为了提供更大的功率节省，
引导块系列包括深度掉电
模式，通过减少功耗
大部分转向闪存的电路断。
该模式由RP ＃引脚及其控制
用法是在第3.5节中讨论，以及其他
功耗问题。
此外， RP ＃引脚提供保护
避免不必要的命令将因无效
期间可能发生的系统总线的条件
系统复位和上电/下转换序列。为
例如，当闪速存储器通电时，它
自动默认为读阵列模式，但
在一个温暖的系统复位，电源的地方
不间断地继续向系统组件，
闪速存储器可以保持在一个非读模式，
如擦除。因此，系统复位
信号应该连接到RP ＃到内存重置
在激活复位正常读模式
信号。参见第3.6节。
该28F400提供了字节宽或字宽
输入/输出，它是由BYTE ＃引脚控制。
请参照表2和图16进行了详细的
字节＃操作的描述中，特别是
在DQ的使用
15
/A
–1
引脚。
该28F400产品的提供
ROM / EPROM兼容的引脚排列及安置在
44引脚PSOP （塑料小外形封装）封装，
48引脚TSOP （薄型小外形，1.2毫米厚）
包和所示的56引脚TSOP
图4 ，图5和6中。该28F004
产品在40引脚TSOP提供
包在图3中，如图所示。
请参考直流特性表，第5.2节
（商业级温度）和第6.2节
（扩展温度） ，完整的电流和
电压规格。参见AC
特性表，第5.3节（商业
温度）
和
部分
6.3
（扩展
温度） ，读，写和擦除性能
特定连接的阳离子。
E
6
初步
INTEL [ INTEL CORPORATION ]
