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TE28F800B3BA110 参数 Datasheet PDF下载

TE28F800B3BA110图片预览
型号: TE28F800B3BA110
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内容描述: 3伏高级启动区块快闪记忆体 [3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 58 页 / 844 K
品牌: INTEL [ INTEL CORPORATION ]
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3伏高级启动块闪存
内存
28F004 / 400B3 , 28F008 / 800B3 , 28F016 / 160B3 , 28F320B3 , 28F640B3
初步数据表
产品特点
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柔性SmartVoltage技术
- 2.7 V - 3.6 V读/编程/擦除
— 12 V V
PP
快速生产编程
2.7 V或1.65 V的I / O选项
- 降低整体系统功耗
高性能
- 2.7 V - 3.6 V : 70 ns的最大访问时间
优化的块大小
- 8个8 KB的块数据,或顶
底部位置
- 高达一百二十七个64
KB块码
块锁定
— V
CC
通过WP # -Level控制
低功耗
- 9 mA典型读取电流
绝对的硬件保护
— V
PP
= GND选项
— V
CC
锁定电压
扩展温度操作
= -40 ° C至+85°C
自动编程和块擦除
=状态寄存器
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英特尔
®
闪存数据集成软件
- 闪存管理器
- 系统管理中断
- 支持参数存储,流媒体
数据(例如,语音)
扩展循环能力
•最低100000块擦除周期
保证
自动省电功能
•典型I
CCS
公交车不活动后
标准表面贴装包装
- 48球CSP封装
- 40 - 和48引脚TSOP封装
密度和尺寸进行升级
常见的包
- 4-, 8-,16- , 32-和64 - Mbit的密度
ETOX ™VII ( 0.18
µ)
闪存技术
- 28F160 / 320 / 640B3xC
- 4-, 8-,16-和32 - Mbit的还存在于
ETOX ™V ( 0.4μ )和/或ETOX ™ VI
( 0.25μ )闪存技术
X8不推荐用于新设计
4兆位密度不推荐用于新
设计
在3伏高级启动区块快闪记忆体, Intel最新的0.18制造
µm
技术,代表了在整体系统成本更低一款功能丰富的解决方案。 3伏高级
在X16引导块闪存产品将在48引脚TSOP和48球CSP提供
包。该产品系列的X8选项将只提供40引脚TSOP和48-
球μBGA *包。该产品系列的更多信息可以通过获得
访问英特尔网站: http://www.intel.com/design/flash 。
注意:
本文件包含的新产品在生产中的初步信息。该
规格如有变更,恕不另行通知。验证与您当地的英特尔销售办事处的
你有一个定案之前,设计最新的数据表。
订单号: 290580-012
2000年10月