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TE28F800B3BA110 参数 Datasheet PDF下载

TE28F800B3BA110图片预览
型号: TE28F800B3BA110
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内容描述: 3伏高级启动区块快闪记忆体 [3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 58 页 / 844 K
品牌: INTEL [ INTEL CORPORATION ]
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28F004 / 400B3 , 28F008 / 800B3 , 28F016 / 160B3 , 28F320B3 , 28F640B3
4.7
编程和擦除时序
V
PP
符号
参数
笔记
8 KB参数块
节目时间(字节)
t
BWPB
4 KW参数块
节目时间(字)
64 KB的主座
节目时间(字节)
t
BWMB
32 KW主座
节目时间(字)
字节编程时间
t
WHQV1
/ t
EHQV1
字编程时间
0.18微米产品
字编程时间为0.25
微米和0.4微米产品
8 KB参数块
擦除时间(字节)
t
WHQV2
/ t
EHQV2
4 KW参数块
擦除时间(字)
64 KB的主座
擦除时间(字节)
t
WHQV3
/ t
EHQV3
32 KW主座
擦除时间(字)
程序挂起延迟
擦除挂起延时
2, 3
2, 3
2, 3, 4
2, 3
2, 3, 4
2,3
2, 3
2, 3, 4
2, 3
2, 3, 4
2, 3
典型值
(1)
0.16
0.10
1.2
0.8
17
12
22
1
0.5
1
1
5
5
最大
0.48
0.30
3.7
2.4
165
200
200
4
4
5
5
10
20
典型值
(1)
0.08
0.03
0.6
0.24
8
8
8
0.8
0.4
1
0.6
5
5
最大
0.24
0.12
1.7
1
185
185
185
4
4
5
5
10
20
s
s
s
s
µs
µs
µs
s
s
s
s
µs
µs
2.7 V–3.6 V
11.4 V–12.6 V
单位
t
WHRH1
/ t
EHRH1
t
WHRH2
/ t
EHRH2
注意事项:
1.
2.
3.
4.
在标称电压和T测得的典型值
A
= +25 °C.
排除外部系统级的开销。
采样,未经100%测试。
没有可用0.18 X8
µm
供品
3UHOLPLQDU\
31