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型号: 2N3993
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内容描述: P沟道硅结型场效应晶体管 [P-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 95 K
品牌: INTERFET [ INTERFET CORPORATION ]
   
01/99
B-7
2N3993 , 2N3993A
P沟道硅结型场效应晶体管
¥砍刀
¥高速交换子
在T绝对最大额定值
A
= 25¡C
反向栅源&反向栅极漏极电压
连续正向栅电流
连续器件功耗
功率降额
25 V
= 10毫安
300毫瓦
2.4毫瓦/°C的
在25 ℃的自由空气温度:
静态电气特性
门源击穿电压
门源截止电压
饱和漏电流(脉冲)
反向漏电流
排水截止电流
动态电气特性
漏源导通电阻
常见的来源
转发率
共源输入电容
常见的来源
反向传输电容
r
DS ( ON)
| Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
V
( BR ) GSS
V
GS ( OFF )
I
DSS
I
DGO
I
D(关闭)
2N3993
25
4
– 10
– 1.2
– 1.2
– 1.2
–1
9.5
最大
2N3993A
25
4
– 10
– 1.2
– 1.2
– 1.2
–1
9.5
最大
单位
V
V
mA
nA
µA
nA
µA
过程PJ99
测试条件
I
G
= 1 μA ,V
DS
= ØV
V
DS
= - 10V ,我
D
= – 1 µA
V
DS
= – 10V, V
GS
= ØV
V
DG
= - 15V ,我
S
= ØA
V
DG
= - 15V ,我
S
= ØA
V
DS
= – 10V, V
GS
= 10 V
V
DS
= – 10V, V
GS
= 10 V
T
A
= 150°C
T
A
= 150°C
150
6
12
16
4.5
7
150
12
12
3
mS
pF
pF
V
GS
= 0V ,我
D
= Ø A
V
DS
= – 10V, V
GS
= ØV
V
DS
= – 10V, V
GS
= ØV
V
DS
= Ø, V
GS
= 10V
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
TOÐ72套餐
尺寸以英寸(毫米)
引脚配置
1来源, 2门,3个排水, 4保护套
www.interfet.com
1000 N.希洛路,花环,TX 75042
(972) 487-1287
传真
(972) 276-3375