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型号: 2N4220
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内容描述: N沟道硅结型场效应晶体管 [N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 96 K
品牌: INTERFET [ INTERFET CORPORATION ]
   
B-10
01/99
2N4220 , 2N4220A , 2N4221 , 2N4221A , 2N4222 , 2N4222A
N沟道硅结型场效应晶体管
¥
¥
¥
¥
调音台
振荡器
甚高频放大器器
小信号放大器
在T绝对最大额定值
A
= 25¡C
反向栅源&反向栅极漏极电压
连续正向栅电流
连续器件功耗
功率降额( 150° C)
– 30 V
10毫安
300毫瓦
2毫瓦/°C的
在25 ℃的自由空气温度:
静态电气特性
门源击穿电压
门反向电流
门源电压
门源截止电压
饱和漏电流(脉冲)
动态电气特性
常见的来源前进
常见的来源正向透射
共源输出电导
共源输入电容
共源反向
传输电容
噪声系数
2N4220A , 2N4221A , 2N4222A
g
fs
| Y
fs
|
g
os
C
国际空间站
C
RSS
NF
V
( BR ) GSS
I
GSS
V
GS
V
GS ( OFF )
I
DSS
2N4220
2N4220A
NJ16
– 30
– 0.1
– 0.1
– 0.5
(50)
0.5
最大
2N4221
2N4221A
NJ16
– 30
– 0.1
– 0.1
最大
2N4222
2N4222A
NJ32
– 30
– 0.1
– 0.1
最大
单位
V
µA
V
µA
V
mA
过程
测试条件
I
G
= - 1μA ,V
DS
= ØV
V
GS
= – 15V, V
DS
= ØV
V
GS
= – 15V, V
DS
= ØV
V
DS
= 15V ,我
D
= ( )
V
DS
= 15V ,我
D
= 0.1 nA的
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
T
A
= 150°C
– 2.5 – 1
–5
–2
–6
(50) (200) (200) (500) (500)
–4
3
2
–6
6
5
–8
15
1000
750
4000
2000
750
5000
2500
750
6000
µS
µS
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
R
G
= 1 MΩ
F = 1千赫
F = 100 MHz的
F = 1千赫
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 100 MHz的
10
6
2
2.5
20
6
2
2.5
40
6
2
2.5
µS
pF
pF
dB
TOÐ72套餐
尺寸以英寸(毫米)
引脚配置
1来源, 2漏, 3门, 4保护套
1000 N.希洛路,花环,TX 75042
(972) 487-1287
传真
(972) 276-3375
www.interfet.com