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2N4416A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2N4416A
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内容描述: N沟道硅结型场效应晶体管 [N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管放大器
文件页数/大小: 1 页 / 69 K
品牌: INTERFET [ INTERFET CORPORATION ]
   
B-14
01/99
2N4416 , 2N4416A
N沟道硅结型场效应晶体管
•搅拌机
•甚高频放大器
在T绝对最大额定值
A
= 25¡C
反向栅源&反向栅极漏极电压
栅电流
连续器件耗散
功率降额
2N4416
– 30 V
10毫安
300毫瓦
2毫瓦℃,
2N4416A
– 35 V
10毫安
300毫瓦
2毫瓦/°C的
在25 ℃的自由空气温度:
静态电气特性
门源击穿电压
门反向电流
门源截止电压
饱和漏电流(脉冲)
动态电气特性
常见的来源
正向跨导
常见的来源
输出电导
共源输入电容
共源输出电容
常见的来源
反向传输电容
常见的来源
输入电导
常见的来源
输入电纳
常见的来源
输出电纳
常见的来源
功率增益
噪声系数
g
fs
V
( BR ) GSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
I
DSS
2N4416
– 30
– 0.1
– 0.1
–6
5
15
最大
2N4416A
– 35
– 0.1
– 0.1
– 2.5
5
–6
15
最大
单位
V
nA
µA
V
mA
过程NJ26
测试条件
I
G
= - 1μA ,V
DS
= ØV
V
GS
= – 20V, V
DS
= ØV
V
GS
= – 20V, V
DS
= ØV
V
DS
= 15V ,我
D
= 1 NA
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
T
A
= 150°C
4500 7500 4500 7500
4000
50
75
100
4
2
0.8
100
1000
2500
10000
1000
4000
18
10
2
4
18
10
2
4
4000
50
75
100
4
2
0.8
100
1000
2500
1000
4000
µS
µS
µS
µS
µS
pF
pF
pF
µS
µS
µS
µS
µS
dB
dB
dB
dB
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V ,我
D
= 5毫安
V
DS
= 15V ,我
D
= 5毫安
V
DS
= 15V ,我
D
= 5毫安
R
G
= 1kΩ
F = 1千赫
F = 400 MHz的
F = 1千赫
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
g
os
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
g
is
b
is
b
os
G
ps
NF
10000 µS
TOÐ72套餐
见G部分的外形尺寸
表面贴装
SMP4416 , SMP4416A
引脚配置
1来源, 2漏, 3门, 4保护套
注:射频参数保证的,但不是100 %测试。
1000 N.希洛路,花环,TX 75042
(972) 487-1287
传真
(972) 276-3375
www.interfet.com