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型号: 2N4867
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内容描述: N沟道硅结型场效应晶体管 [N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 66 K
品牌: INTERFET [ INTERFET CORPORATION ]
   
01/99
B-17
2N4867 , 2N4867A , 2N4868 , 2N4868A , 2N4869 , 2N4869A
N沟道硅结型场效应晶体管
¥音频放大器
在T绝对最大额定值
A
= 25¡C
反向栅源&反向栅极漏极电压
栅电流
连续器件功耗
功率降额
存储温度范围
– 40 V
50毫安
300mW
1.7毫瓦/ ¡ ç
- 65 ° C至+ 200℃
在25 ℃的自由空气温度:
静态电气特性
门源击穿电压
门反向电流
门源截止电压
饱和漏电流(脉冲)
动态电气特性
常见的来源前进
共源输出电导
共源输入电容
共源反向
传输电容
相当于短路
输入噪声电压
噪声系数
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
e
N
¯
V
( BR ) GSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
I
DSS
2N4867
2N4867A
– 40
– 0.25
– 0.25
– 0.7
0.4
–2
1.2
最大
2N4868
2N4868A
– 40
– 0.25
– 0.25
–1
1
–3
3
最大
2N4869
2N4869A
– 40
– 0.25
– 0.25
– 1.8
2.5
–5
7.5
最大
单位
V
nA
µA
V
mA
过程NJ16
测试条件
I
G
= - 1μA ,V
DS
= ØV
V
GS
= – 30V, V
DS
V
GS
= – 30V, V
DS
= ØV
V
DS
= 20V ,我
D
= 1 µA
V
DS
= 20V, V
GS
= ØV
T
A
= 150°C
700
2000
1.5
25
5
20
10
1
1000
3000
4
25
5
20
10
1
1300
4000
10
25
5
20
10
1
µS
µS
pF
pF
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
V
DS
= 20V, V
GS
= ØV
V
DS
= 20V, V
GS
= ØV
V
DS
= 20V, V
GS
= ØV
V
DS
= 20V, V
GS
= ØV
V
DS
= 10V, V
GS
= ØV
V
DS
= 10V, V
GS
= ØV
V
DS
= 10V, V
GS
= ØV
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 10赫兹
F = 1千赫
F = 1千赫
NF
dB
(2N4867, 68, 69)
R
G
= 20 kΩ
( 2N4867A , 68A , 69A )
R
G
= 5 kΩ
TOÐ72套餐
尺寸以英寸(毫米)
表面贴装
SMP4867 , SMP4867A , SMP4868 ,
SMP4868A , SMP4869 , SMP4869A
引脚配置
1来源, 2漏, 3门, 4保护套
www.interfet.com
1000 N.希洛路,花环,TX 75042
(972) 487-1287
传真
(972) 276-3375