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型号: 2N5397
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内容描述: N沟道硅结型场效应晶体管 [N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 94 K
品牌: INTERFET [ INTERFET CORPORATION ]
   
B-20
01/99
2N5397, 2N5398
N沟道硅结型场效应晶体管
¥
¥
¥
¥
¥
¥
低噪声
高功率增益
高跨导
调音台
振荡器
甚高频放大器器
在T绝对最大额定值
A
= 25¡C
反向栅源&反向栅极漏极电压
漏源电压
连续正向栅电流
连续器件功耗
功率降额
– 25 V
25 V
10毫安
300毫瓦
1.7毫瓦/ ¡ ç
在25 ℃的自由空气温度:
静态电气特性
门源击穿电压
门源正向电压
门反向电流
门源截止电压
饱和漏电流(脉冲)
动态电气特性
常见的来源
正向跨导
常见的来源
正向转移导纳
共源输出电导
共源输入导纳
共源输入电导
共源输入电容
常见的来源
反向传输电容
g
fs
| Y
fs
|
| g
os
|
| Y
os
|
g
is
C
国际空间站
C
RSS
V
( BR ) GSS
V
GS ( F)
I
GSS
V
GS ( OFF )
I
DSS
2N5397
– 25
1
– 0.1
– 0.1
–1
10
–6
30
最大
2N5398
– 25
1
– 0.1
– 0.1
–1
5
–6
40
最大
单位
V
V
nA
µA
V
mA
过程NJ26L
测试条件
I
G
= - 1 μA ,V
DS
= ØV
I
G
= 1毫安, V
DS
= ØV
V
GS
= – 15V, V
DS
= ØV
V
GS
= – 15V, V
DS
= ØV
V
DS
= 10V ,我
D
= 1 NA
V
DS
= 10V, V
GS
= ØV
T
A
= 150°C
5.5
6
9
10
0.4
0.2
2
5
1.2
5
5.5
10
10
0.5
0.4
3
5.5
1.3
mS
mS
mS
mS
mS
pF
pF
V
DG
= 10V ,我
D
= 10毫安
V
DS
= 10V ,我
D
= 10毫安
V
DG
= 10V ,我
D
= 10毫安
V
DS
= 10V ,我
D
= 10毫安
V
DG
= 10V ,我
D
= 10毫安
V
DG
= 15V, V
GS
= ØV
V
DG
= 15V, V
GS
= ØV
F = 450 MHz的
F = 1千赫
F = 450 MHz的
F = 1千赫
F = 450 MHz的
F = 1千赫
F = 1千赫
TOÐ72套餐
尺寸以英寸(毫米)
表面贴装
SMP5397 , SMP5398
引脚配置
1来源, 2漏, 3门, 4保护套
1000 N.希洛路,花环,TX 75042
(972) 487-1287
传真
(972) 276-3375
www.interfet.com