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    2N6451 参数 Datasheet PDF下载

    2N6451图片预览
    型号： 2N6451
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道硅结型场效应晶体管 [N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管
    文件页数/大小： 1 页 / 96 K
    品牌： INTERFET [ INTERFET CORPORATION ]
       
    01/99
    B-25
    2N6451, 2N6452
    N沟道硅结型场效应晶体管
    ¥音频放大器
    ¥低噪声，高增益
    放大器器
    ¥低噪声前置放大器
    在T绝对最大额定值
    A
    = 25¡C
    反向栅源电压
    反向栅极漏极电压
    连续正向栅电流
    连续器件功耗
    功率降额
    2N6451
    2N6452
    – 20 V
    – 25 V
    – 20 V
    – 25 V
    10毫安
    10毫安
    360毫瓦
    360毫瓦
    2.88毫瓦/ ° Ç 2.88毫瓦/°C的
    在25 ℃的自由空气温度：
    静态电气特性
    门源击穿电压
    V
    （ BR ） GSS
    2N6451
    民
    – 20
    – 0.1
    最大
    2N6452
    民
    – 25
    – 0.5
    最大
    单位
    V
    nA
    nA
    µA
    –1
    µA
    V
    mA
    过程NJ132L
    测试条件
    I
    G
    = - 1 μA ，V
    DS
    = ØV
    V
    GS
    = – 10V, V
    DS
    = ØV
    V
    GS
    = – 15V, V
    DS
    = ØV
    V
    GS
    = – 10V, V
    DS
    = ØV
    V
    GS
    = – 15V, V
    DS
    = ØV
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 0.5 nA的
    V
    DS
    = 10V, V
    GS
    = ØV
    T
    A
    = 125°C
    T
    A
    = 125°C
    门反向电流
    I
    GSS
    – 0.2
    – 0.5 – 3.5 – 0.5 – 3.5
    5
    20
    5
    20
    门源截止电压
    饱和漏电流（脉冲）
    动态电气特性
    常见的来源
    转发率
    常见的来源
    输出电导
    常见的来源
    输入电容
    共源反向
    传输电容
    相当于短路
    输入噪声电压
    噪声系数
    V
    GS （ OFF ）
    I
    DSS
    | Y
    fs
    |
    | Y
    os
    |
    C
    国际空间站
    C
    RSS
    e
    N
    ¯
    NF
    15
    30
    50
    25
    5
    5
    3
    1.5
    15
    30
    50
    25
    5
    mS
    mS
    µS
    µS
    pF
    pF
    pF
    pF
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 5毫安
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 15毫安
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 5毫安
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 15毫安
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 5毫安
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 15毫安
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 5毫安
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 15毫安
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 5毫安
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 5毫安
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 5毫安
    R
    G
    = 10 kΩ
    F = 1千赫
    F = 1千赫
    F = 1千赫
    F = 1千赫
    F = 1千赫
    F = 1千赫
    F = 1千赫
    F = 1千赫
    F = 10千赫
    F = 1千赫
    F = 10赫兹
    10
    纳伏/赫兹÷
    8
    2.5
    纳伏/赫兹÷
    dB
    TOÐ72套餐
    尺寸以英寸（毫米）
    引脚配置
    1来源， 2漏， 3门， 4保护套
    www.interfet.com
    1000 N.希洛路，花环，TX 75042
    (972) 487-1287
    传真
    (972) 276-3375

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