IF3602 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IF3602
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内容描述：	双N沟道硅结型场效应晶体管 [Dual N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管放大器
文件页数/大小：	1 页 / 95 K
品牌：	INTERFET [ INTERFET CORPORATION ]

01/99

B-35

IF3602

双N沟道硅结型场效应晶体管

日元的低噪声，高增益放大器

绝对最大额定值= T

在25℃下

反向栅源电压&门漏极电压

连续正向栅电流

连续器件功耗

功率降额

存储温度范围

– 20 V

10毫安

300毫瓦

4毫瓦/°C的

- 65 ℃至200 ℃的

在25 ℃的自由空气温度：

静态电气特性

IF3602

民

最大

单位

过程NJ3600L

测试条件

门源击穿电压

门反向电流

门源截止电压

饱和漏电流（脉冲）

动态电气特性

（ BR ） GSS

GSS

GS （ OFF ）

DSS

– 20

– 0.35

典型值

– 0.5

–3

= - 1 μA ，V

= ØV

= – 10V, V

= ØV

= 10V ，我

= 0.5 nA的

= 10V, V

= ØV

常见的来源

正向跨导

共源输入电容

常见的来源

反向传输电容

相当于短路

输入噪声电压

国际空间站

RSS

750

300

200

0.3

最大

纳伏/赫兹÷

= 10V, V

= ØV

= ØV, V

= – 4V

= ØV, V

= – 4V

= 3V ，我

= 5毫安

F = 1千赫

F = 1 MHz的

F = 100赫兹

差分门源电压

| V

GS1

– V

GS2

100

= 10V, V

= ØV

TOÐ78套餐

尺寸以英寸（毫米）

引脚配置

1来源， 2漏， 3门， 4省略，

5源，漏极6 ， 7门， 8略

www.interfet.com

1000 N.希洛路，花环，TX 75042

(972) 487-1287

传真

(972) 276-3375

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