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型号: IF4511
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内容描述: N沟道硅结型场效应晶体管 [N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 93 K
品牌: INTERFET [ INTERFET CORPORATION ]
   
01/99
B-39
IF4511
N沟道硅结型场效应晶体管
¥音频放大器
在T绝对最大额定值
A
= 25¡C
反向栅源&反向栅极漏极电压
连续正向栅电流
连续器件功耗
功率降额
存储温度范围
– 20 V
10毫安
300毫瓦
1.8毫瓦/°C的
- 65 ℃至200 ℃的
在25 ℃的自由空气温度:
静态电气特性
IF4511
最大
单位
过程NJ450H
测试条件
门源击穿电压
门反向电流
门源截止电压
饱和漏电流(脉冲)
动态电气特性
V
( BR ) GSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
I
DSS
– 20
– 0.35
5
– 0.1
– 1.5
V
nA
V
mA
I
G
= - 1 μA ,V
DS
= ØV
V
GS
= – 30V, V
DS
V
DS
= 15V ,我
D
= 0.5 nA的
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
常见的来源
正向跨导
共源输入电容
常见的来源
反向传输电容
g
fs
C
国际空间站
C
RSS
15
35
8
典型值
mS
pF
pF
V
DS
= 15V ,我
D
= 5毫安
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
F = 1千赫
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
相当于短路
输入噪声电压
e
N
¯
1.5
纳伏/赫兹÷
V
DG
= 12V, V
GS
= ØV
F = 1千赫
TOÐ72套餐
尺寸以英寸(毫米)
引脚配置
1来源, 2漏, 3门, 4保护套
www.interfet.com
1000 N.希洛路,花环,TX 75042
(972) 487-1287
传真
(972) 276-3375