B-42
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IFN424 ， IFN425 ， IFN426
双N沟道硅结型场效应晶体管
¥阻抗非常高
差分放大器器
¥静电计
在T绝对最大额定值
A
= 25¡C
设备Dissapation （降容3.2毫瓦/ ° C至50° C）
器件总功耗（减免6毫瓦/ ° C至150° C）
存储温度范围
400毫瓦
750毫瓦
- 60 ℃至200 ℃的
在25 ℃的自由空气温度：
静态电气特性
门源击穿电压
门到门击穿电压
门反向电流
门工作电流
门源截止电压
门源电压
饱和漏电流（脉冲）
动态电气特性
常见的来源正向跨导
g
fs
IFN424 ， IFN425 ， IFN426
民
V
（ BR ） GSS
BV
G1G2
I
GSS
I
G
V
GS （ OFF ）
V
GS
I
DSS
60
1800
– 0.4
– 40
±40
–3
–3
– 0.5
– 500
–3
– 2.9
典型值
– 60
最大
单位
V
V
pA
nA
pA
pA
V
V
µA
过程NJ01
测试条件
I
G
= - 1 μA ，V
DS
= ØV
I
G
= - 1 μA ，我
D
= OA，我
V
GS
= – 20V, V
DS
= ØV
V
GS
= – 20V, V
DS
= ØV
V
DS
= 10V ，我
D
= 30 µA
V
DS
= 10V ，我
D
= 30 µA
V
DS
= 10V ，我
D
= 1 NA
V
DS
= 10V ，我
D
= 30 µA
V
DS
= 10V, V
GS
= Ø V
T
A
= +125°C
T
A
= +125°C
100
1500
3
3
1.5
20
70
1
µS
µS
pF
pF
纳伏/赫兹÷
V
DS
= 10V, V
GS
= Ø V
V
DS
= 10V ，我
D
= 30 µA
V
DS
= 10V, V
GS
= Ø V
V
DS
= 10V, V
GS
= Ø V
V
DS
= 10V ，我
D
= 30 µA
V
DS
= 10V ，我
D
= 30 µA
R
G
= 1 MΩ
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 10赫兹
F = 10赫兹
共源输出电导
共源输入电容
等效短路输入噪声电压
g
os
C
国际空间站
e
N
¯
NF
共源反向传输电容
C
RSS
噪声系数
dB
马克斯 - IFN424 IFN425 IFN426
差分门源电压
差分门源电压
随温度
|V
GS1
– V
GS2
|
|V
GS1
– V
GS2
|
10
10
15
25
25
40
mV
μV/°C
V
DG
= 10V ，我
D
= 30 µA
V
DG
= 10V ，我
D
= 30 µA
T
A
= – 55°C
T
B
= 25°C
T
C
= 125°C
∆T
最小 - IFN424 IFN425 IFN426
共模抑制比
CMRR
90
80
80
dB
V
DG
= 10V至20V ，我
D
= 30 µA
TOÐ78套餐
见G部分的外形尺寸
引脚配置
1来源1 ， 2排水1 ， 3 1号门， 4套，
5资料来源2,6排水2 ， 7门2 ，
8略
1000 N.希洛路，花环，TX 75042
(972) 487-1287
传真
(972) 276-3375
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