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    IFN6449 参数 Datasheet PDF下载

    IFN6449图片预览
    型号： IFN6449
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道硅结型场效应晶体管 [N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 1 页 / 93 K
    品牌： INTERFET [ INTERFET CORPORATION ]
       
    B-48
    01/99
    IFN6449 ， IFN6450
    N沟道硅结型场效应晶体管
    •高电压
    在T绝对最大额定值
    A
    = 25¡C
    反向栅源电压
    反向栅极漏极电压
    连续正向栅电流
    连续器件功耗
    功率降额
    IFN6449
    IFN6450
    – 100 V
    – 100 V
    – 300 V
    – 200 V
    10毫安
    10毫安
    800毫瓦
    800毫瓦
    6.4毫瓦/ ° Ç 6.4毫瓦/°C的
    在25 ℃的自由空气温度：
    静态电气特性
    门漏极击穿电压
    门源击穿电压
    门反向电流
    门源截止电压
    饱和漏电流（脉冲）
    动态电气特性
    常见的来源前进
    转让透射
    共源输出电导
    共源输入电容
    常见的来源
    反向传输电容
    | Y
    fs
    |
    g
    os
    C
    国际空间站
    C
    RSS
    V
    （ BR ） GDO
    V
    （ BR ）， GSO
    I
    GSS
    V
    GS （ OFF ）
    I
    DSS
    IFN6449
    民
    – 300
    – 100
    最大
    IFN6450
    民
    – 200
    – 100
    – 100
    – 100
    最大
    单位
    V
    V
    nA
    µA
    V
    mA
    过程NJ42
    测试条件
    I
    G
    = - 10 μA ，我
    S
    = ØA
    I
    G
    = - 10 μA ，我
    D
    = ØA
    V
    GS
    = – 80V, V
    DS
    = ØV
    V
    GS
    = – 80V, V
    DS
    = ØV
    V
    DS
    = 30V ，我
    D
    = 4 NA
    V
    DS
    = 30V, V
    GS
    = ØV
    T
    A
    = 150°C
    –2
    2
    – 15
    10
    –2
    2
    – 15
    10
    0.5
    3
    100
    10
    5
    0.5
    3
    100
    10
    5
    mS
    µS
    pF
    pF
    V
    DS
    = 30V, V
    GS
    = ØV
    V
    DS
    = 30V, V
    GS
    = ØV
    V
    DS
    = 30V, V
    GS
    = ØV
    V
    DS
    = 30V, V
    GS
    = ØV
    F = 1千赫
    F = 1千赫
    F = 1 MHz的
    F = 1 MHz的
    TOÐ39套餐
    尺寸以英寸（毫米）
    引脚配置
    1来源， 2漏， 3门&案例
    1000 N.希洛路，花环，TX 75042
    (972) 487-1287
    传真
    (972) 276-3375
    www.interfet.com

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