IRF3103 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF3103
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内容描述：	HEXFET㈢功率MOSFET [HEXFET㈢ Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 104 K
品牌：	INTERFET [ INTERFET CORPORATION ]

PD - 9.1337C

IRL3103

HEXFET

功率MOSFET

逻辑电平栅极驱动

先进的工艺技术

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

全额定雪崩

DSS

= 30V

DS （ ON）

= 0.014Ω

= 64A

描述

国际整流器第五代HEXFETs

利用先进的加工技术，实现了

尽可能低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，

结合快速开关速度和加固

设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好

众所周知，为设计者提供了一个非常有效的

装置，用于在各种各样的应用中使用。

在TO- 220封装普遍首选的所有

商业工业应用的功率耗散

水平到约50瓦。在低热阻

和TO- 220封装低的成本导致其广泛

接受整个行业。

TO-220AB

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝。

马克斯。

220

110

0.71

±16

240

5.0

-55〜 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅•在（ 1.1N •m）的

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热阻

参数

θJC

θCS

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

分钟。

––––

典型值。

––––

0.50

––––

马克斯。

1.4

––––

单位

° C / W

8/25/97

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