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    J110 参数 Datasheet PDF下载

    J110图片预览
    型号： J110
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道硅结型场效应晶体管 [N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管开关
    文件页数/大小： 1 页 / 95 K
    品牌： INTERFET [ INTERFET CORPORATION ]
       
    B-50
    01/99
    J110 ， J110A
    N沟道硅结型场效应晶体管
    ¥砍刀
    ¥换向器
    ¥模拟开关
    在T绝对最大额定值
    A
    = 25¡C
    反向栅源&反向栅极漏极电压
    连续正向栅电流
    连续器件功耗
    功率降额
    – 25 V
    50毫安
    360毫瓦
    3.27毫瓦/°C的
    在25 ℃的自由空气温度：
    静态电气特性
    门源击穿电压
    门反向电流
    门源截止电压
    饱和漏电流（脉冲）
    排水截止电流
    动态电气特性
    漏源导通电阻
    排水栅电容
    来源栅极电容
    排水门+源栅极电容
    开关特性
    打开延迟时间
    上升时间
    关闭延迟时间
    下降时间
    td
    （上）
    t
    r
    td
    （关闭）
    t
    f
    r
    DS （ ON）
    C
    gd
    C
    gs
    C
    gd
    + C
    gs
    V
    （ BR ） GSS
    I
    GSS
    V
    GS （ OFF ）
    I
    DSS
    I
    D（关闭）
    J110
    民
    – 25
    –3
    – 0.5
    10
    3
    –4
    最大
    J110A
    民
    – 25
    –3
    – 0.5
    10
    3
    –4
    最大
    单位
    V
    nA
    V
    mA
    nA
    过程NJ450
    测试条件
    I
    G
    = - 1 μA ，V
    DS
    = ØV
    V
    GS
    = – 15V, V
    DS
    = ØV
    V
    DS
    = 5V ，我
    D
    = 1 µA
    V
    DS
    = 15V, V
    GS
    = ØV
    V
    DS
    = 5V, V
    GS
    = – 10V
    18
    15
    15
    85
    典型值
    4
    1
    6
    30
    典型值
    4
    1
    6
    30
    25
    15
    15
    85
    Ω
    pF
    pF
    pF
    V
    GS
    = Ø, V
    DS
    < = 0.1V
    V
    DS
    = ØV, V
    GS
    = – 10V
    V
    DS
    = ØV, V
    GS
    = – 10V
    V
    DS
    = V
    GS
    = ØV
    F = 1千赫
    F = 1 MHz的
    F = 1 MHz的
    F = 1 MHz的
    ns
    ns
    ns
    ns
    V
    DD
    V
    GS （ OFF ）
    R
    L
    J110
    1.5
    –5
    150
    J110A
    1.5
    –5
    150
    V
    V
    Ω
    TOÐ226AA套餐
    尺寸以英寸（毫米）
    表面贴装
    SMPJ110 ， SMPJ110A
    引脚配置
    1漏， 2来源， 3门
    1000 N.希洛路，花环，TX 75042
    (972) 487-1287
    传真
    (972) 276-3375
    www.interfet.com

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