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型号: J232
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内容描述: N沟道硅结型场效应晶体管 [N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 95 K
品牌: INTERFET [ INTERFET CORPORATION ]
   
01/99
B-59
J232
N沟道硅结型场效应晶体管
¥音频放大器
在T绝对最大额定值
A
= 25¡C
反向栅源&反向栅极漏极电压
连续正向栅电流
连续器件功耗
功率降额
– 40 V
50毫安
360毫瓦
3.27毫瓦/°C的
在25 ℃的自由空气温度:
静态电气特性
门源击穿电压
门反向电流
门工作电流
门源截止电压
饱和漏电流(脉冲)
动态电气特性
常见的来源正向跨导
g
fs
J232
V
( BR ) GSS
I
GSS
I
G
V
GS ( OFF )
I
DSS
–3
5
–2
–6
10
– 40
– 250
典型值
最大
单位
V
pA
pA
V
mA
过程NJ16
测试条件
I
G
= - 1 μA ,V
DS
= ØV
V
GS
= – 30V, V
DS
= ØV
V
DS
= 20V ,我
D
= ØV
V
DS
= 20V ,我
D
= 1 µA
V
DS
= 20V, V
GS
= Ø V
2500
5
4
1
20
6
5000
µS
µS
pF
pF
V
DS
= 20V, V
GS
= Ø V
V
DS
= 20V, V
GS
= Ø V
V
DS
= 20V, V
GS
= Ø V
V
DS
= 20V, V
GS
= Ø V
V
DS
= 10V, V
GS
= Ø V
V
DS
= 10V, V
GS
= Ø V
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 10赫兹
F = 1千赫
共源输出电导
共源输入电容
共源反向传输
电容
相当于短路
输入噪声电压
g
os
C
国际空间站
C
RSS
e
N
¯
30
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
TOÐ226AA套餐
尺寸以英寸(毫米)
表面贴装
SMPJ232
引脚配置
1漏, 2来源, 3门
1000 N.希洛路,花环,TX 75042
(972) 487-1287
传真
(972) 276-3375
www.interfet.com