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NJ01 参数 Datasheet PDF下载

NJ01图片预览
型号: NJ01
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内容描述: 硅结型场效应晶体管 [Silicon Junction Field-Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 126 K
品牌: INTERFET [ INTERFET CORPORATION ]
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F-2
01/99
NJ01过程
硅结型场效应晶体管
¥低电流
¥低栅极漏电流
•高输入阻抗
绝对最大额定值在Ta = 25°C
栅极电流,免疫球蛋白
工作结温, TJ
储存温度, TS
10毫安
+150°C
- 65 ° C至+ 175℃
G
芯片尺寸= 0.016" X 0.016"
所有邦德片= 0.004"平方米。
基材也是门。
基于所述NJ01过程中此数据手册的设备。
数据表
2N4117 , 2N4117A
2N4118 , 2N4118A
2N4119 , 2N4119A
IFN421 , IFN422
IFN423 , IFN424
IFN425 , IFN426
数据表
DPAD1 , DPAD2
DPAD5 , DPAD10
PAD1 , PAD2
PAD5
VCR7N
在25 ℃的自由空气温度:
静态电气特性
门源击穿电压
门反向电流
门源截止电压
饱和漏电流(脉冲)
动态电气特性
常见的来源正向跨导
NJ01过程
V
( BR ) GSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
I
DSS
– 0.5
0.03
– 40
典型值
– 50
– 0.5
– 10
–6
0.6
最大
单位
V
pA
V
mA
测试条件
I
G
= - 1 μA ,V
DS
= ØV
V
GS
= – 20V, V
DS
= ØV
V
DS
= 10V ,我
D
= 1 µA
V
DS
= 10V, V
GS
= ØV
g
fs
C
国际空间站
175
2
0.9
µS
pF
pF
V
DS
= 10V, V
GS
= ØV
V
DS
= 10V, V
GS
= ØV
V
DS
= 10V, V
GS
= ØV
F = 1千赫
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
共源输入电容
共源反向传输电容
C
RSS
1000 N.希洛路,花环,TX 75042
(972) 487-1287
传真
(972) 276-3375
www.interfet.com