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NJ132L 参数 Datasheet PDF下载

NJ132L图片预览
型号: NJ132L
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内容描述: 硅结型场效应晶体管的低噪声放大器 [Silicon Junction Field-Effect Transistor Low-Noise Amplifier]
分类和应用: 晶体放大器晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 128 K
品牌: INTERFET [ INTERFET CORPORATION ]
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F-34
01/99
NJ132L过程
硅结型场效应晶体管
¥低噪声放大器
绝对最大额定值在Ta = 25°C
栅极电流,免疫球蛋白
工作结温, TJ
储存温度, TS
10毫安
+150°C
- 65 ° C至+ 175℃
G
S-D
G
芯片尺寸= 0.022" X 0.022"
所有邦德片= 0.004"平方米。
基材也是门。
基于所述NJ132L过程中此数据手册的设备。
数据表
2N6451, 2N6452
2N6453, 2N6454
IF1320
IFN152
2SK152
在25 ℃的自由空气温度:
静态电气特性
门源击穿电压
反向栅极漏电流
饱和漏电流(脉冲)
门源截止电压
动态电气特性
正向跨导
输入电容
反馈电容
等效噪声电压
(脉冲的)
g
fs
g
fs
C
国际空间站
C
国际空间站
e
N
¯
15
15
15
3.5
1
mS
mS
pF
pF
V
( BR ) GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS ( OFF )
5
– 0.5
– 15
典型值
– 25
– 50
– 100
100
–7
最大
单位
V
nA
mA
V
NJ132L过程
测试条件
I
G
= - 1 μA ,V
DS
= ØV
V
GS
= – 10V, V
DS
= ØV
V
DS
= 10V, V
GS
= ØV
V
DS
= 10V ,我
D
= 1 NA
V
DS
= 10V, V
GS
= ØV
V
DS
= 10V ,我
D
= 5毫安
V
DS
= 10V, V
GS
= ØV
V
DS
= ØV, V
GS
= – 10V
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1千赫
内华达州/ √Hz的V
DS
= 4V ,我
D
= 5毫安
1000 N.希洛路,花环,TX 75042
(972) 487-1287
传真
(972) 276-3375
www.interfet.com