NJ1800D 参数 Datasheet PDF下载

型号：	NJ1800D
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内容描述：	硅结型场效应晶体管 [Silicon Junction Field-Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	2 页 / 126 K
品牌：	INTERFET [ INTERFET CORPORATION ]

F-44

01/99

NJ1800D过程

硅结型场效应晶体管

¥超低噪声前置放大器

绝对最大额定值在Ta = 25°C

栅极电流，免疫球蛋白

工作结温， TJ

储存温度， TS

10毫安

+150°C

- 65 ° C至+ 175℃

基于所述NJ1800D过程中此数据手册的设备。

数据表

U290, U291

芯片尺寸= 0.052" X 0.052"

所有邦德片

≥

0.004"平方米。

基材也是门。

在25 ℃的自由空气温度：

静态电气特性

门源击穿电压

反向栅极漏电流

饱和漏电流（脉冲）

门源截止电压

动态电气特性

正向跨导（脉冲）

漏源导通电阻

输入电容

反馈电容

DS （ ON）

国际空间站

RSS

100

350

Ω

（ BR ） GSS

GSS

DSS

GS （ OFF ）

– 0.1

民

– 20

典型值

– 30

– 100

1000

–7

最大

单位

NJ1800D过程

测试条件

= - 1 μA ，V

= ØV

= – 10V, V

= ØV

= 10V, V

= ØV

= 10V ，我

= 1 NA

= 10V, V

= ØV

= 1毫安， V

= ØV

= 10V, V

= ØV

= 10V, V

= ØV

F = 1千赫

F = 1 MHz的

1000 N.希洛路，花环，TX 75042

(972) 487-1287

传真

(972) 276-3375

www.interfet.com

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