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NJ42图片预览
型号: NJ42
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内容描述: 硅结型场效应晶体管 [Silicon Junction Field-Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 128 K
品牌: INTERFET [ INTERFET CORPORATION ]
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F-24
01/99
NJ42过程
硅结型场效应晶体管
•通用放大器
•高击穿电压
绝对最大额定值在Ta = 25°C
栅极电流,免疫球蛋白
工作结温, TJ
储存温度, TS
10毫安
+150°C
- 65 ° C至+ 175℃
S
芯片尺寸= 0.032" X 0.032"
所有接合焊盘= 0.004" ,直径。
基材也是门。
基于所述NJ42过程中此数据手册的设备。
数据表
2N6449, 2N6450
IFN6449 , IFN6450
在25 ℃的自由空气温度:
静态电气特性
门源击穿电压
反向栅极漏电流
饱和漏电流(脉冲)
门源截止电压
动态电气特性
正向跨导
输入电容
反馈电容
等效噪声电压
g
fs
C
国际空间站
C
RSS
e
N
¯
800
6
2
10
10
5
µS
pF
pF
V
( BR ) GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS ( OFF )
2
–2
– 300
典型值
– 400
–1
– 10
10
– 12
最大
单位
V
nA
mA
V
NJ42过程
测试条件
I
G
= 1 μA ,V
DS
= ØV
V
GS
= – 150V, V
DS
= ØV
V
DS
= 30V, V
GS
= ØV
V
DS
= 30V ,我
D
= 1 NA
V
DS
= 30V, V
GS
= ØV
V
DS
= 30V, V
GS
= ØV
V
DS
= 30V, V
GS
= ØV
F = 1千赫
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1千赫
内华达州/ √Hz的V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
1000 N.希洛路,花环,TX 75042
(972) 487-1287
传真
(972) 276-3375
www.interfet.com