欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

PJ99 参数 Datasheet PDF下载

PJ99图片预览
型号: PJ99
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 硅结型场效应晶体管 [Silicon Junction Field-Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 128 K
品牌: INTERFET [ INTERFET CORPORATION ]
 浏览型号PJ99的Datasheet PDF文件第2页  
F-30
01/99
PJ99过程
硅结型场效应晶体管
•通用放大器
¥模拟开关
绝对最大额定值在Ta = 25°C
栅极电流,免疫球蛋白
工作结温, TJ
储存温度, TS
10毫安
+150°C
- 65 ° C至+ 175℃
G
S-D
G
芯片尺寸= 0.021" X 0.021"
所有邦德片= 0.004"平方米。
基材也是门。
基于所述PJ99过程中此数据手册的设备。
数据表
2N3993 , 2N3993A
2N3994 , 2N3994A
2N5114, 2N5115
2N5116
2SJ44
IFN5114 , IFN5115
IFN5116
数据表
IFP44
J174, J175
J176, J177
P1086, P1087
VCR3P
在25 ℃的自由空气温度:
静态电气特性
门源击穿电压
反向栅极漏电流
饱和漏电流(脉冲)
门源截止电压
动态电气特性
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
反馈电容
等效噪声电压
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
r
DS ( ON)
g
fs
C
国际空间站
C
国际空间站
e
N
¯
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
75
15
18
4.5
8
5
10
6
5
mS
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
( BR ) GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS ( OFF )
–5
1
30
典型值
40
0.5
1
– 60
8
最大
单位
V
nA
mA
V
PJ99过程
测试条件
I
G
= 1 μA ,V
DS
= ØV
V
GS
= 20V, V
DS
= ØV
V
DS
= – 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= - 15V ,我
D
= 1 NA
I
D
= 1毫安, V
GS
= ØV
V
DS
= – 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= ØV, V
GS
= 10V
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1千赫
内华达州/ √Hz的V
DS
= – 10V, V
GS
= ØV
V
DD
= - 10V ,我
D(上)
= - 15毫安
R
L
= 580
Ω,
V
GS ( ON)
= ØV
V
GS ( OFF )
= 12V
1000 N.希洛路,花环,TX 75042
(972) 487-1287
传真
(972) 276-3375
www.interfet.com