BUZ32
半导体
数据表
1998年10月
文件编号2416.1
9.5A , 200V , 0.400 Ohm的N通道功率
MOSFET
特点
• 9.5A , 200V
[ /标题
这是一个N沟道增强型硅栅功率
• r
DS ( ON)
= 0.400Ω
(BUZ32)
音响场效晶体管设计的应用程序,例如
• SOA是功耗有限公司
/主题
开关稳压器,开关转换器,电机驱动器,
•纳秒的开关速度
(9.5A,
继电器驱动器,以及用于高功率双极开关的驱动
晶体管需要高速,低栅极驱动电源。
200V,
•线性传输特性
这种类型的可以直接从集成电路来操作。
0.400
•高输入阻抗
欧姆, N-
以前发育类型TA17412 。
•多数载波设备
通道
•相关文献
动力
订购信息
- TB334 “指南焊锡表面贴装
产品型号
包
BRAND
MOSFET导
组件到PC板“
BUZ32
TO-220AB
BUZ32
FET)
/作者
注:订货时,使用整个零件编号。
符号
()
D
/密钥 -
WORDS
G
(哈里斯
半
S
传导
器, N-
通道
动力
包装
MOSFET导
JEDEC TO- 220AB
场效应管,
TO -
来源
漏
220AB)
门
/造物主
漏极(法兰)
()
/ DOCIN
PDF- FO
标志
[ /页面 -
模式
/ UseOut-
线
/ DOC-
意见
pdfmark运算
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-800-4-HARRIS
|
版权
©
1998年哈里斯公司