CA3290 ， CA3290A
数据表
1998年9月
文件编号1049.3
采用BiMOS双电压比较器
与MOSFET的输入，双极性输出
该CA3290A和CA3290型包括一个双电压
比较一个单芯片上。共模
输入电压范围包括地面，即使在运转时
从单电源。低电源电流消耗，使
这些比较器适用于电池操作;其
极低的输入电流，允许其在应用程序中使用
雇用传感器具有极高的来源
阻抗。封装选项示于下表中。
特点
• MOSFET输入级
- 非常高的输入阻抗（Z
IN
） 。 。 。 。 。 。 。 。 1.7TΩ （典型值）
- 极低的输入电流在V + = 5V 。 。 。 。 。 。 。 3.5pA （典型值）
- 宽共模输入电压范围（V
ICR
）可
摆动1.5V （典型值）低于负电源电压轨
- 实际上消除了由于错误输入电流的流动来
•输出电压兼容TTL ， DTL ， ECL ， MOS ，
和CMOS逻辑系统中大部分应用程序
应用
•
•
•
•
•
高源阻抗电压比较器
长延时电路
方波发生器
A / D转换器
窗口比较器
引脚
CA3290 / A （ PDIP ）
顶视图
输出（A
1
) 1
INV 。 INPUT （A
1
) 2
NON- INV 。 INPUT （A
1
) 3
V- 4
A
1
8 V+
+
-
A
2
7 OUTPUT （A
2
)
原理图
（仅示出一个）
偏置电路
对于目前的
来源
比较器编号。 1
V+
D
1
D
2
Q
1
+V
I
-V
I
Q
2
Q
3
1
-
+
6 INV 。 INPUT （A
2
)
5 NON - INV 。 INPUT （A
2
)
订购信息
部分
数
CA3290AE
CA3290E
温度
RANGE （
o
C)
-55至125
-55至125
包
8 Ld的PDIP
8 Ld的PDIP
PKG 。号
E8.3
E8.3
TO
比较。
2号
I
1
Q
9
50µA
I
2
Q
10
I
3
I
4
Q
11
100µA
Q
12
V
O
D
3
D
4
Q
4
Q
8
Q
15
Q
17
R
1
100kΩ
Q
7
R
2
1kΩ
Q
18
Q
16
Q
13
Q
14
100µA
50µA
Q
5
Q
6
R
3
5kΩ
C
1
5pF
V-
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
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