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CD4051 参数 Datasheet PDF下载

CD4051图片预览
型号: CD4051
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内容描述: CMOS模拟多路复用器/多路解复用器 [CMOS Analog Multiplexers/Demultiplexers]
分类和应用: 解复用器
文件页数/大小: 12 页 / 152 K
品牌: INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
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特定网络阳离子CD4051BMS , CD4052BMS , CD4053BMS
绝对最大额定值
直流电源电压范围( VDD ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 20V
(电压参考VSS端子)
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VDD + 0.5V
直流输入电流,在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
封装类型D,F , K,H
存储温度范围( TSTG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
焊接温度(焊接时) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
在距离1/16
±
1/32英寸( 1.59毫米
±
0.79毫米)从案例
10S最大
可靠性信息
热阻。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
θ
ja
θ
jc
陶瓷DIP和熔块封装。 。 。 。 。 80
o
C / W
20
o
C / W
扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70
o
C / W
20
o
C / W
最大封装功耗( PD ) ,在125
o
C
对于TA = -55
o
C至+100
o
C(封装类型D,F , K) 。 。 。 。 。 。 500mW的
对于TA = 100
o
C至+ 125
o
C(封装类型D,F , K) 。 。 。 。 。减额
线性在12MW /
o
C至200mW的
设备损耗每个输出晶体管。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100mW
对于TA =全包温度范围(所有封装类型)
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
表1. DC电性能等特点
A组
1
2
VDD = 18V , VIN = VDD和GND
输入漏电流
IIL
VIN = VDD和GND
VDD = 20
VDD = 18V
输入漏电流
IIH
VIN = VDD和GND
VDD = 20
VDD = 18V
导通状态电阻
RL = 10K归国
VDD - VSS / 2
罗恩
VDD = 5V
可见= VSS至VDD
3
1
2
3
1
2
3
1
2
3
VDD = 10V
可见= VSS至VDD
1
2
3
VDD = 15V
可见= VSS至VDD
1
2
3
N门限电压
P阈值电压
实用
(注4 )
VNTH
VPTH
F
VDD = 10V , ISS = -10μA
VSS = 0V , IDD = 10μA
VDD = 2.8V , VIN = VDD和GND
VDD = 20V , VIN = VDD和GND
VDD = 18V , VIN = VDD和GND
VDD = 3V , VIN = VDD和GND
输入电压低
(注2 )
输入电压高
(注2 )
输入电压低
(注2 )
输入电压高
(注2 )
关道泄漏
所有信道关
Or
全部关闭通道
(常见的输出/输入)
VIL
VIH
VIL
VIH
IOZL
VDD = 5V = VIS通1K ,
VEE = VSS
RL = 1K至VSS , | IIS | < 2μA
关通道
VDD = 15V = VIS直通1K
VEE = VSS
RL = 1K至VSS , | ISS | , <2μA
在所有通道关闭
VIN = VDD和GND
VOUT = 0V
VDD = 20V
VDD = 18V
IOZH
VIN = VDD和GND
VOUT = VDD
VDD = 20V
VDD = 18V
注: 1.所有电压参考器件GND , 100 %的性能测试
实现的。
2.进入/不合格测试与限制适用于输入。
1
1
7
7
8A
8B
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1
2
3
1
2
3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
(注1 )
VDD = 20V , VIN = VDD和GND
-
-
-
-100
-1000
-100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-2.8
0.7
最大
10
1000
10
-
-
-
100
1000
100
1050
1300
800
400
550
310
240
320
220
-0.7
2.8
单位
µA
µA
µA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
V
V
V
+25
o
C
+125 C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25 C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
o
o
VOH VOL > <
VDD / 2 VDD / 2
-
3.5
-
11
-0.1
-1.0
-0.1
-
-
-
1.5
-
4
-
-
-
-
0.1
1.0
0.1
V
V
V
V
µA
µA
µA
µA
µA
µA
3.对于精确度,电压被差分测量到VDD。极限
为0.050V最大。
4. VDD = 2.8V / 3.0V , RL = 200K到VDD
VDD = 20V / 18V , RL = 10K到VDD
7-940