DG444 ， DG445
数据表
1999年6月
网络文件编号
3586.5
单片四路SPST CMOS模拟
开关
该DG444和DG445单片CMOS模拟开关
是滴，在替代流行的DG211和DG212
系列设备。它们包括四个独立的单刀
单掷（SPST）模拟开关和TTL和CMOS
兼容数字输入。
这些开关具有导通电阻较低模拟（ <85Ω ）
和更快的开关时间（t
ON
<250ns ）相比， DG211
和DG212 。电荷注入已减少，从而简化了
采样保持应用程序。
在DG444系列的改进成为可能
通过使用高电压硅栅工艺。外延
层防止与旧的CMOS关联的闩锁
技术。在44V最大电压范围允许
控
±20V
当操作信号
±20V
动力
耗材。
这四个开关双边，难分伯仲交流或
双向信号。导通电阻变化与
模拟信号是相当低的过
±5V
模拟输入范围。
在DG444和DG445开关是相同的，
只是在不同的选择逻辑的极性。
特点
•导通电阻（最大值） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 85Ω
•低功耗（P
D
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <35μW
•快速开关动作
- t
ON
（最大值） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为250ns
- t
关闭
（最大值， DG444 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 140ns
•低电荷注入
•从DG211 / DG212升级
• TTL ， CMOS兼容
•单或分离电源操作
应用
•音频切换
•电池供电系统
•数据采集
•高可靠性系统
•采样和保持电路
•通讯系统
•自动测试设备
引脚
DG444 ， DG445 （ PDIP ， SOIC ）
顶视图
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
16
2
15 D
2
14 S
2
13 V+
12 V
L
11 S
3
10 D
3
9
3
订购信息
产品型号
DG444DJ
DG444DY
DG445DJ
DG445DY
温度。
RANGE （
o
C)
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
包
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
PKG 。号
E16.3
M16.15
E16.3
M16.15
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
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