HGTG11N120CND
数据表
2000年1月
网络文件编号
4580.2
43A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT
与反并联二极管超高速
该HGTG11N120CND是
非穿通
（ NPT ）
IGBT的设计。这是MOS门控高的新成员
电压开关IGBT系列。 IGBT的结合最好
MOSFET和双极型晶体管的特性。该装置
有一个MOSFET和低的高输入阻抗
导通状态的导通损耗的双极型晶体管构成。在IGBT
采用的是开发式TA49291 。所使用的二极管是
开发类型TA49189 。
该IGBT适用于多种高压开关
在中等频率工作的应用中，低
导通损耗是必不可少的，如：交，直流电动机
控制，电源和驱动电磁阀，继电器
和接触。
以前发育类型TA49303 。
特点
• 43A ， 1200V ，T
C
= 25
o
C
• 1200V开关SOA能力
•典型的下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 340ns在T
J
= 150
o
C
•短路额定值
•低传导损耗
•
热阻抗
SPICE模型
www.intersil.com
包装
JEDEC风格-247
E
C
G
订购信息
产品型号
HGTG11N120CND
包
TO-247
BRAND
11N120CND
注：订货时，使用整个零件编号。
符号
C
G
E
Intersil公司IGBT产品受以下一个美国的一项或多项专利权
4,364,073
4,598,461
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,417,385
4,605,948
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,430,792
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,443,931
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,466,176
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,516,143
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
4,532,534
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,969,027
4,587,713
4,644,637
4,801,986
4,883,767
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
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