HGTG20N60A4D
数据表
1999年10月
网络文件编号
4790
600V ，开关电源系列N沟道IGBT具有
反并联二极管超高速
该HGTG20N60A4D是MOS门控高压
开关器件的MOSFET相结合的最佳功能
和双极型晶体管。此装置具有高输入
MOSFET的阻抗和低的导通状态导通
损失一个双极晶体管组成。在低得多的导通电压
降变化只是适度的25
o
C和150
o
C.该
IGBT采用的是开发式TA49339 。二极管
反并联使用的是发展型TA49372 。
这IGBT适用于多种高压开关
在高频率下操作的应用，其中低
导通损耗是必不可少的。
该装置已
高频开关模式电源优化
耗材。
以前发育类型TA49341 。
特点
• ＆ GT ; 100kHz的工作在390V ， 20A
• 200kHz的工作在390V ， 12A
• 600V开关SOA能力
•典型的下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 55ns在T
J
= 125
o
C
•低传导损耗
•
温度补偿
SABER ™模型
www.intersil.com
包装
JEDEC风格-247
E
C
G
订购信息
产品型号
HGTG20N60A4D
包
TO-247
BRAND
20N60A4D
集热器
（法兰）
注：订货时，使用整个零件编号。
符号
C
G
E
Intersil公司IGBT产品受以下一个美国的一项或多项专利权
4,364,073
4,598,461
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,417,385
4,605,948
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,430,792
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,443,931
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,466,176
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,516,143
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
4,532,534
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,969,027
4,587,713
4,644,637
4,801,986
4,883,767
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
1-888- INTERSIL或407-727-9207
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版权
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