HIP1012A
表1中。
R
ILIM
电阻器
15kΩ
10kΩ
7.5kΩ
4.99kΩ
注：标称Vth的OC = RILIM X 10μA 。
标称OC VTH
150mV
100mV
75mV
50mV
和电机的启动电流，选择限流水平
是至关重要的，以提供保护，并仍允许这
浪涌电流不锁存关闭。除了要考虑这个
超时延迟的时候为您的设计选择的MOSFET 。
为达到这些目的因此建议CR水平被编程
至额定负载的150％。
当使用在12V和5V模式HIP1012A
另外V
DD
去耦可能是必要的，以防止
上电复位，由于在V下垂
DD
针对业主立案法团闭锁。
加入从V的电容器的
DD
到GND往往可能
足够的，但小的值的隔离电阻器也可以是
必要的（参见简化框图第2页） 。
电流回路稳定
通过一个小的值容易
电阻器串联在栅极定时电容器。作为
HIP1012A驱动一个高电感的电流负载，不稳定
其特征在于，所述栅极电压反复斜坡向上和
下，可能会出现。一个简单的方法，以提高稳定性
由一个较大的值的栅极电阻的替代设置。
通常这种情况下，可避免通过消除长
点对点布线到负载。
随机重置
如果HIP1012A检测引脚被拉低发生
下面地面断开时的高电感性负载。一个地方
大负载电容（ 10-50μF ）上的输出或ISEN
钳位二极管到地消除。
在
超时延迟时间
与在HIP1012A
电流限制模式下， V
GS
外部N沟道
MOSFET的减少驱动N沟道MOSFET开关
成高R
DS （ ON）
状态。因此，避免长时间了
周期，外部N沟道MOSFET可
损坏或摧毁由于过度的内部电源
耗散。请参考MOSFET制造商的数据表
SOA的信息。
外部下拉电阻
从希森引脚接地
将防止电压输出浮离，因
漏电流流过外部开关FET的体二极管
当FET是残疾人和输出为开。
的电阻RSENSE的物理布局
是关键的，以避免
可能性虚假过流事件。理想的情况下跟踪
和RSENSE的电阻之间的路由是HIP1012A
直接和尽可能短，以在感测零电流
行如下所示的
.
正确
不正确
表2中。
C
TIM
电容
0.022µF
0.047µF
0.1µF
标称超时周期
4.4ms
9.4ms
20ms
注：标称超时时间（秒） = C
TIM
X 200kΩ的。
该HIP1012A响应负载短（定义为一个电流
立即3X级的超频设定值） ，带动相关
N沟道MOSFET的栅极至0V，在不到10微秒。门
然后电压缓慢上升接通N沟道
MOSFET的编程电流限制水平;这是
开始的超时时段。编程电流水平
持有，直到业主立案法团事件传递或超时时段
过期。如果是前者的情况下，则N沟道
MOSFET完全而C
TIM
充电电流
转离电容器。如果在超时周期到期
之前的OC分辨率，然后两个门正在迅速拉至0V
同时关闭两个N沟道MOSFET 。
在任何条件下紫外线的PGOOD信号拉低时
通过一个电阻到逻辑电源接高电平。该引脚为
故障指示器而不是OC锁存关闭指示灯。对于OC
锁断指示，监控CTIM ， 10引脚该引脚将上升
迅速12V一旦走出期满的时间。看到简体
框图2页OC锁断电路的建议。
该HIP1012A要么PWRON引脚复位的上升沿
与被驱动为低电平，则打开的任一PWRON引脚。该
HIP1012A可以控制为+ 12V / 5V或+ 3.3V / + 5V电源。
绑PWRON1引脚到V
DD
，调用+ 3.3V / + 5V
电压模式。在此模式下，外部电荷泵
电容器是不需要的和CPUMP ，销11被直接连接到
V
DD
.
HIP1012A应用注意事项
电流调节VS电流跳闸
往往会造成混乱
当使用这种和其它IC与电流调节（ CR ）
功能。在CR的水平是在哪一级的HIP1012将
举办过电流负载，用于编程的时间。这
级可编程的RLIM和电阻RSENSE
值。作为电流通过该HIP1012A被监视
接近的CR级的电平>85 ％的HIP1012A可能
旅客由于制造差异，并在设计
低增益高速输入比较器。另外有
高水平的浪涌电流如的，高度容性负载
6
TO ISEN和
R
ISET
当前
检测电阻器
图1.检测电阻PCB LAYOUT
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