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    HIP2100IB 参数 Datasheet PDF下载

    HIP2100IB图片预览
    型号： HIP2100IB
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 100V / 2A峰值，低成本，高频率半桥驱动器 [100V/2A Peak, Low Cost, High Frequency Half Bridge Driver]
    分类和应用： 驱动器接口集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 12 页 / 386 K
    品牌： INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
     浏览型号HIP2100IB的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HIP2100IB的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HIP2100IB的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HIP2100IB的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HIP2100IB的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HIP2100IB的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HIP2100IB的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HIP2100IB的Datasheet PDF文件第9页  
    HIP2100
    电气规格
    V
    DD
    = V
    HB
    = 12V, V
    SS
    = V
    HS
    = 0V ，在LO和HO空载，除非另有说明。
    （续）
    T
    J
    = +25°C
    参数
    自举二极管
    低电流正向电压
    大电流正向电压
    动态电阻
    LO栅极驱动器
    低电平输出电压
    高电平输出电压
    山顶上拉电流
    峰值下拉电流
    何栅极驱动器
    低电平输出电压
    高电平输出电压
    山顶上拉电流
    峰值下拉电流
    V
    OLH
    V
    OHH
    I
    OHH
    I
    OLH
    I
    HO
    = 100毫安
    I
    HO
    = -100mA ，V
    OHH
    = V
    HB
    -V
    HO
    V
    HO
    = 0V
    V
    HO
    = 12V
    -
    -
    -
    -
    0.25
    0.25
    2
    2
    0.3
    0.3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    0.4
    0.4
    -
    -
    V
    V
    A
    A
    V
    OLL
    V
    OHL
    I
    OHL
    I
    OLL
    I
    LO
    = 100毫安
    I
    LO
    = -100mA ，V
    OHL
    = V
    DD
    -V
    LO
    V
    LO
    = 0V
    V
    LO
    = 12V
    -
    -
    -
    -
    0.25
    0.25
    2
    2
    0.3
    0.3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    0.4
    0.4
    -
    -
    V
    V
    A
    A
    V
    DL
    V
    DH
    R
    D
    I
    VDD -HB
    = 100µA
    I
    VDD -HB
    = 100毫安
    I
    VDD -HB
    = 100毫安
    -
    -
    -
    0.45 0.55
    0.7
    0.8
    0.8
    1
    -
    -
    -
    0.7
    1
    1.5
    V
    V
    Ω
    符号
    测试条件
    最小典型最大
    T
    J
    = -40 ° C至+ 125°C
    民
    （注7 ）
    最大
    （注7 ）
    单位
    交换特定网络阳离子
    V
    DD
    = V
    HB
    = 12V, V
    SS
    = V
    HS
    = 0V ，在LO和HO空载，除非另有说明。
    T
    J
    = +25°C
    T
    J
    = -40 ° C至
    +125°C
    民
    （注7 ）
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    最大
    （注7 ）
    45
    45
    45
    45
    10
    10
    -
    0.8
    -
    -
    50
    -
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    µs
    ns
    ns
    ns
    ns
    参数
    低关断传播延迟（LI下降到LO下降）
    上关断传播延迟（ HI下降到HO下降）
    低导通传播延迟（李瑞星LO瑞星）
    上部导通传播延迟（ HI瑞星何晟）
    延迟匹配：低导通和上关断
    延迟匹配：低导通和关上开启
    无论是输出上升/下降时间
    无论是输出上升/下降时间（ 3V至9V ）
    无论是输出上升时间驱动DMOS
    无论是输出下降时间驱动DMOS
    最小输入脉冲宽度改变输出
    自举二极管导通或关断时间
    注意：
    符号
    t
    LPHL
    t
    HPHL
    t
    LPLH
    t
    HPLH
    t
    MON
    t
    MOFF
    t
    RC
    , t
    FC
    t
    R
    , t
    F
    t
    RD
    t
    FD
    t
    PW
    t
    BS
    TEST
    条件
    最小典型最大
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    20
    20
    20
    20
    2
    2
    10
    0.5
    20
    10
    -
    10
    35
    35
    35
    35
    8
    8
    -
    0.6
    -
    -
    -
    -
    C
    L
    = 1000pF的
    C
    L
    = 0.1µF
    C
    L
    = IRFR120
    C
    L
    = IRFR120
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    7.参数与MIN和/或最大极限100％经过测试，在+ 25 ° C，除非另有规定。温度限制设立的表征
    而不是生产测试。
    5
    FN4022.14

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