HIP6006
现代微处理器产生上述瞬态负载率
1A / ns的。高频电容最初提供瞬变
和减缓看到的大容量电容器的电流负载率。
散装滤波器的电容值通常由下式确定
的ESR （等效串联电阻）和额定电压
需求，而不是实际的电容要求。
高频去耦电容应尽可能
靠近负载的电源引脚，身体可能。有
注意不要加电感在电路板布线的
可以取消这些低电感的用处
组件。请与负载上的制造商
具体的去耦要求。例如，英特尔
建议高频去耦的
至少有40 （ 40 ） 1.0μF的Pentium Pro的组成
陶瓷电容，在1206表面贴装封装。
使用仅用于专门的低ESR电容
开关稳压器应用的大容量电容器。
大容量电容的ESR将决定输出纹波
电压和经过一个高转换率的初始压降
短暂的。的铝电解电容器的ESR值是
在较大的可用较低的ESR与案件有关的大小
外壳尺寸。然而，等效串联电感
这些电容（ ESL ）随着案件的大小和能
降低了电容器的用处高摆率
瞬态负载。不幸的是， ESL不是规定
参数。您电容器供应商和测量工作
同频率的电容的阻抗来选择
合适的分量。在大多数情况下，多个电解
小尺寸的情况下，电容器的性能比单一的好
大的情况下，电容。
最小化响应时间可输出最小化
电容的要求。
的响应时间一过是用于不同
应用负载和去除负荷。以下
方程给出大致的响应时间间隔
应用和移除瞬时负载的：
L
O
×
I
TRAN
-
t
上升
= -------------------------------
V
IN
–
V
OUT
L
O
×
I
TRAN
-
t
秋天
= ------------------------------
V
OUT
其中：I
TRAN
是瞬态负载电流阶跃，叔
上升
为
响应时间来加载的应用程序，和叔
秋天
为
响应时间来去除负荷。与+ 5V的输入
源，最坏情况下的响应时间可以是在
应用或去除负荷的并且依赖于
输出电压设置。一定要检查这两个
在最小的方程和最大输出电平为
最坏情况下的响应时间。
输入电容的选择
使用的输入旁路电容的组合来控制电压
过冲跨的MOSFET。使用小型陶瓷
电容用于高频去耦以及大容量电容器
提供所需的电流，每次Q1导通。地方
小陶瓷电容身体靠近
MOSFET和Q1的漏极和源极之间
Q2.
对于大容量输入电容的重要参数是
额定电压和RMS电流额定值。对于可靠
操作上，选择大容量电容的电压和电流
上面的最大输入电压和最大RMS评级
电流所必需的电路。该电容器的额定电压
应比最大大至少1.25倍
输入电压和1.5倍额定电压是一
保守的指导方针。 RMS额定电流要求
对于降压稳压器的输入电容约为
1/2的直流负载电流。
对于通孔的设计，几个电解电容
（松下HFQ系列或尼吉康PL系列或三洋MV-
GX或同等学历）可能是必要的。表面贴装
设计中，固体钽电容器都可以使用，但小心
必须考虑到电容器的浪涌电流而行使
投资评级。这些电容器必须是能够处理
浪涌电流电。在TPS系列
AVX和593D系列从斯普拉格都激增
目前的测试。
输出电感的选择
输出电感器被选择为满足输出电压
纹波的要求，并尽量减少转换器的响应
时间对负载瞬变。电感值确定
转换器的纹波电流和纹波电压的函数
的纹波电流。纹波电压和电流
近似由下式表示：
V
IN
- V
OUT
V
OUT
-
-
∆I
=
-------------------------------
•
---------------
FS x长
V
IN
∆V
OUT
=
∆I
X ESR
增加电感值减小纹波电流
和电压。然而，大电感值降低
转换器的响应时间的负载瞬变。
一限制变换器响应于所述参数的
负载瞬态是改变电感器所需的时间
电流。给定一个SUF网络ciently快速控制回路设计，
HIP6006将提供0％或100 ％的占空比
响应于负载瞬变。响应时间是时间
以杀电感电流从初始电流要求
值的瞬态电流电平。在此期间的
电感电流和瞬时之间差
电流电平，必须由输出电容器提供。
MOSFET选择/注意事项
该HIP6006需要2个N沟道功率MOSFET 。这些
应选择基于ř
DS （ ON）
，门供应
要求，和热管理要求。
在高电流应用中，MOSFET功率耗散，
封装选择和散热器是主要的设计
因素。功率耗散包括两个损失
成分;导通损耗和开关损耗。该
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