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HIP6018BCB 参数 Datasheet PDF下载

HIP6018BCB图片预览
型号: HIP6018BCB
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内容描述: 先进的PWM和力量线性双控制 [Advanced PWM and Dual Linear Power Control]
分类和应用: 开关光电二极管
文件页数/大小: 15 页 / 383 K
品牌: INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
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®
HIP6018B
数据表
2005年4月1日
FN4586.3
先进的PWM和力量线性双
控制
该HIP6018B提供了电源控制和保护
在高性能微处理器的三个输出电压
和计算机应用。该IC集成了PWM
控制器,线性调节器和线性调节器,以及
作为监控和保护功能集成到一个单一的
封装。 PWM控制器调节微处理器
核心电压,具有同步整流的降压转换器。
线性控制器调节功率为GTL总线和
线性稳压器提供电源,时钟驱动器
电路。
该HIP6018B包括Intel兼容, TTL 5输入
数字 - 模拟转换器(DAC ) ,调整上述芯的PWM
在0.1V的增量输出电压2.1VDC至3.5VDC
从1.3VDC至2.05VDC在0.05V步骤。精度
参考与电压模式控制提供
±1%
STATIC
调节。线性稳压器采用内部旁路装置
提供2.5V
±2.5%.
线性控制器驱动
外部N沟道MOSFET ,提供1.5V
±2.5%.
该HIP6018B监视所有的输出电压。单一
当芯距离的±10%良好的功率信号发
该DAC设置和其他级别高于自己的理解
电压电平。其他内置过电压保护
核心输出使用较低的MOSFET ,以防止输出
电压超过DAC设置的115 % 。 PWM的过
当前功能监视输出电流通过
横跨上MOSFET的 - [R的电压降
DS ( ON)
,
省去了一个电流检测电阻器。
特点
•提供3调节电压
- 微处理器为核心,时钟和电源GTL
•驱动N沟道MOSFET
•可从+ 3.3V , + 5V和+ 12V的输入
•简单的单环PWM控制设计
- 电压模式控制
•快速瞬态响应
- 高带宽误差放大器器
- 全0 %至100%的占空比
•出色的输出电压调节
- 核心PWM输出:
±1%
过温
- 其它输出:
±2.5%
过温
• TTL兼容5位数字到模拟输出核心
电压选择
- 范围广。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.3V
DC
到3.5V
DC
- 0.1V的步骤。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.1V
DC
到3.5V
DC
- 0.05V步骤。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.3V
DC
到2.05V
DC
•电源良好输出电压监视器
•微处理器内核电压保护,防止短路
MOSFET
•过电压和过电流故障监视
- 不需要额外的电流传感元件,
采用MOSFET的ř
DS ( ON)
•小尺寸转换器
- 恒定频率工作
- 200kHz的自由运行的振荡器;从编程
50kHz至1MHz的多
•无铅可(符合RoHS )
引脚
HIP6018B
( SOIC )
顶视图
应用
24 UGATE1
23 PHASE1
22 LGATE1
21 PGND
20 OCSET1
19 VSEN1
18 FB1
17 COMP1
16 FB3
15 DRIVE3
14 GND
13 VOUT2
VCC 1
VID4 2
VID3 3
VID2 4
VID1 5
VID0 6
PGOOD 7
FAULT 8
SS 9
RT 10
FB2 11
VIN2 12
•全主板电源调节电脑
•低电压分布式电源
订购信息
产品型号
HIP6018BCB*
HIP6018BCBZ * (注)
温度。
RANGE (
o
C)
0到70
0到70
24 Ld的SOIC
PKG 。
DWG 。 #
M24.3
24 Ld的SOIC (无铅) M24.3
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
注: Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料制成,
模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡板
终止完成,这是符合RoHS标准,既兼容
锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅产品
MSL分类,可达到或无铅峰值回流温度
超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
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