HIP6601 ， HIP6603
数据表
2000年1月
网络文件编号
4819
同步整流， ED降压MOSFET
DRIVERS
的HIP6601和HIP6603是高频，双
MOSFET驱动器具体来说，旨在推动两电
N沟道MOSFET的同步整流，降压版
转换器拓扑结构。这些驱动程序结合HIP630x
多相降压PWM控制器和Intersil的UltraFETs ™
形成一个完整的核心电压稳压器
先进的微处理器。
该HIP6601驱动下门的同步整流器器
桥接至12V，而上部栅极可以独立地
赶了过来范围为5V至12V 。该HIP6603驱动器
上下两个栅极在一定范围5V至12V 。这
驱动电压的灵活性提供了优化的优势
涉及的开关损耗之间权衡的应用
与导通损耗。
在HIP6601和HIP6603输出驱动器具有
能力，以英法fi ciently开关功率MOSFET工作频率
高达2MHz 。每个驱动器能够驱动一个3000pF的负载
以30ns的传播延迟和50ns的过渡时间。两
产品实现与上层门引导
只有一个外部电容器必需的。这将减少
实现的复杂性，并且允许使用更高的
高性能，高性价比， N沟道MOSFET 。自适应
击穿保护集成，以防止这两个
MOSFET同时导通。
特点
•驱动两个N沟道MOSFET
•自适应贯通保护
•内部自举设备
•支持高开关频率
- 快速输出上升时间
- 传播延迟为30ns
•小型8引脚SOIC封装
•双栅极驱动电压为最佳外汇基金fi效率
•三态输入的大桥关闭
•电源欠压保护
应用
•核心电压供应为英特尔奔腾III ， AMD®
速龙™微处理器
•高频低廓型DC-DC转换器
•大电流低电压DC -DC转换器
引脚
HIP6601CB/HIP6603CB
（ SOIC ）
顶视图
订购信息
产品型号
HIP6601CB
HIP6603CB
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
0到85
0到85
包
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
PKG 。号
M8.15
M8.15
UGATE
BOOT
PWM
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
相
PVCC
VCC
LGATE
框图
PVCC
BOOT
UGATE
VCC
相
+5V
10K
PWM
控制
逻辑
10K
拍摄开启
通过
保护
†
VCC时HIP6601
PVCC FOR HIP6603
†
LGATE
GND
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
UltraFET ™是Intersil公司的商标。 1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
版权
©
Intersil公司2000
奔腾是Intel Corporation的注册商标。 AMD®是Advanced Micro Devices ，Inc.的注册商标。
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