UCT
UCT
PROD NT PROD
勒特
ME
OBSO E放置03B
66
，D R
数据表
ENDE 6601B ， HIP
MM HIP
RECO
®
HIP6601A ， HIP6603A ， HIP6604
2004年8月
FN4884.5
同步整流降压MOSFET
DRIVERS
该HIP6601A ， HIP6603A和HIP6604是高频，
双MOSFET驱动器，专门设计用于驱动两个
功率N沟道MOSFET的同步整流降压
转换器拓扑结构。这些驱动程序结合HIP63xx
或ISL65xx多相降压PWM控制器形式
先进的完整的核心电压稳压器解决方案
微处理器。
该HIP6601A驱动下部栅极以同步
整流器到12V ，而上部栅极可以独立地
赶了过来范围为5V至12V 。该HIP6603A驱动器
上下两个栅极在一定范围5V至12V 。这
驱动电压的灵活性提供了优化的优点
涉及的开关损耗之间权衡的应用
与导通损耗。的HIP6604可以配置为
无论是HIP6601A或HIP6603A 。
在HIP6601A ， HIP6603A和HIP6604输出驱动器
要有效地开关功率MOSFET的能力
频率高达2MHz 。每个驱动器能够驱动一对
3000pF的负载具有30ns的传播延迟为50ns
过渡时间。这些产品实现了自举上
只有一个外部电容器上闸门必需的。这
降低了实现的复杂性，并允许使用的
更高的性能，高性价比， N沟道MOSFET 。
自适应贯通保护集成，以防止
这两个MOSFET同时导通。
特点
•驱动两个N沟道MOSFET
•自适应贯通保护
•内部自举设备
•支持高开关频率
- 快速输出上升时间
- 传播延迟为30ns
•小型8引脚SOIC和EPSOIC和16引脚QFN
套餐
•双栅极驱动电压为最佳效率
•三态输入的输出级关闭
•电源欠压保护
应用
•核心电压供应为英特尔奔腾III ， AMD®
速龙™微处理器
•高频超薄型DC-DC转换器
•大电流低电压DC -DC转换器
相关文献
•技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件
（ SMD的） “
引脚配置
HIP6601ACB ， HIP6603ACB （ SOIC ）
HIP6601ECB ， HIP6603ECB （ EPSOIC ）
顶视图
UGATE
1
2
3
4
8
7
6
5
相
PVCC
VCC
LGATE
订购信息
产品型号
HIP6601ACB
HIP6603ACB
HIP6601ACB-T
HIP6603ACB-T
HIP6601ECB
HIP6603ECB
HIP6601ECB-T
HIP6603ECB-T
HIP6604CR
HIP6604CR-T
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
0到85
0到85
包
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
PKG 。
DWG 。 ＃
M8.15
M8.15
BOOT
PWM
GND
8 Ld的SOIC卷带
8 Ld的SOIC卷带
0到85
0到85
8 Ld的EPSOIC
8 Ld的EPSOIC
M8.15B
M8.15B
HIP6604 （ QFN ）
顶视图
UGATE
相
14
NC
NC
13
12 NC
11 PVCC
10 LVCC
9
5
保护地
6
NC
7
LGATE
8
NC
VCC
8 Ld的EPSOIC磁带和卷轴
8 Ld的EPSOIC磁带和卷轴
0到85
16 Ld的4×4 QFN L16.4x4
NC
BOOT
PWM
GND
1
2
3
4
16
15
16 Ld的4×4 QFN磁带和卷轴
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
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