HUF75639G3 ， HUF75639P3 ， HUF75639S3S
数据表
1999年10月
网络文件编号
4477.7
56A ， 100V ， 0.025 Ohm的N通道
UltraFET功率MOSFET
这些N沟道功率MOSFET
所使用的制
创新UltraFET ™工艺。
这种先进的工艺技术
达到尽可能低的导通电阻每硅片面积，
保证了出色的性能。这种装置能够
在雪崩模式和中经受高能量
二极管表现出非常低的反向恢复时间，并存储
费。它被设计用于在应用中的功率
EF网络连接效率是很重要的，如开关稳压器，
开关转换器，电机驱动器，继电器驱动器，低
电压总线开关和电源管理在便携式
和电池供电产品。
以前发育类型TA75639 。
特点
• 56A ， 100V
•仿真模型
- 温度补偿PSPICE
TM
和SABER
©
电气模型
- 香料和剑热阻抗模型
- www.intersil.com
•峰值电流与脉冲宽度曲线
• UIS额定值曲线
•相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
符号
D
订购信息
产品型号
HUF75639G3
HUF75639P3
HUF75639S3S
包
TO-247
TO-220AB
TO-263AB
BRAND
75639G
75639P
75639S
G
S
注：订货时，使用整个零件编号。添加后缀吨至
获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴，例如， HUF75639S3ST 。
包装
JEDEC风格-247
来源
漏
门
漏
（法兰）
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
漏
（ TAB ）
JEDEC TO- 263AB
漏
（法兰）
门
来源
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
UltraFET ™是Intersil公司的商标。 PSPICE ™是是MicroSim公司的商标。
SABER
©
是比喻Inc.的版权http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
©
Intersil公司1999
INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
