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IRFBC40 参数 Datasheet PDF下载

IRFBC40图片预览
型号: IRFBC40
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内容描述: 6.2A , 600V , 1.200 Ohm的N通道功率MOSFET [6.2A, 600V, 1.200 Ohm, N-Channel Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 58 K
品牌: INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
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IRFBC40
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
连续源极到漏极电流
脉冲源极到漏极电流(注3 )
符号
I
SD
I
SDM
测试条件
修改MOSFET
符号显示的
整体逆转的p-n
结二极管
G
D
-
-
典型值
-
-
最大
6.2
25
单位
A
A
S
二极管的源极到漏极电压(注2 )
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项:
V
SD
t
rr
Q
RR
T
J
= 25
o
C,我
SD
= 6.2A ,V
GS
= 0V (图8)
T
J
= 25
o
C,我
SD
= 6.2A ,二
SD
/ DT = 100A / μs的
T
J
= 25
o
C,我
SD
= 6.2A ,二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
200
1.8
-
450
3.8
1.5
940
8.0
V
ns
µC
2.脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比
2%.
3.重复评价:脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线(图3 ) 。
4. V
DD
= 50V ,起始物为
J
= 25
o
C,L = 16mH ,R
G
= 25Ω ,峰值I
AS
= 6.8A
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
除非另有规定编
10
0.8
0.6
0.4
0.2
0
I
D,
漏电流( A)
0
50
100
150
8
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
T
C
,外壳温度(
o
C)
T
C
,外壳温度(
o
C)
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
1
Z
θJC
归一化暂态
热阻抗(
o
C / W )
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.02
0.01
10
-2
单脉冲
P
DM
t
1
t
2
t
2
注意事项:
DUTY因子:D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
-4
0.1
10
-3
10
-2
t
1
,矩形脉冲持续时间( S)
1
10
10
-3
10
-5
图3.归一化最大瞬态热阻抗
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