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    IRFD110 参数 Datasheet PDF下载

    IRFD110图片预览
    型号： IRFD110
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 1A ， 100V ， 0.600 Ohm的N通道功率MOSFET [1A, 100V, 0.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 6 页 / 56 K
    品牌： INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
     浏览型号IRFD110的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFD110的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFD110的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFD110的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFD110的Datasheet PDF文件第6页  
    IRFD110
    数据表
    1999年7月
    网络文件编号
    2314.3
    1A ， 100V ， 0.600 Ohm的N通道功率
    MOSFET
    这种N沟道增强型硅栅功率科幻场
    场效应晶体管是一种先进的功率MOSFET设计，
    经过测试，并保证能承受一个特定的编辑水平
    能在操作中的击穿雪崩模式。所有
    这些功率MOSFET设计用于应用程序，例如
    开关稳压器，开关转换器​​，电机驱动器，
    继电器驱动器，以及用于高功率双极开关的驱动
    晶体管需要高速，低栅极驱动电源。
    这些类型可以直接从集成操作
    电路。
    以前发育类型TA17441 。
    特点
    • 1A ， 100V
    • r
    DS （ ON）
    = 0.600Ω
    •单脉冲能量额定雪崩
    • SOA是功耗有限公司
    •纳秒的开关速度
    •线性传输特性
    •高输入阻抗
    •相关文献
    - TB334 “指南焊锡表面贴装
    组件到PC板“
    订购信息
    产品型号
    IRFD110
    包
    HEXDIP
    BRAND
    IRFD110
    符号
    D
    注：订货时，使用整个零件编号。
    G
    S
    包装
    HEXDIP
    漏
    门
    来源
    4-269
    注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
    http://www.intersil.com或407-727-9207
    |
    版权
    ©
    Intersil公司1999

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