IRFR110 , IRFU110
数据表
1999年7月
网络文件编号
3275.3
4.7A , 100V , 0.540 Ohm的N通道功率
MOSFET的
这些都是N沟道增强型硅栅
电源连接的场效晶体管设计,测试和
保证承受的能量在一个特定的编辑水平
操作击穿雪崩模式。这些先进
功率MOSFET的应用中使用这种设计
开关稳压器,开关转换器,电机驱动器,
继电器驱动和大功率双极开关
晶体管需要高的速度和低的栅极驱动电源。
这些晶体管可以直接从集成操作
电路。
以前发育类型TA17441 。
特点
• 4.7A , 100V
• r
DS ( ON)
= 0.540Ω
•单脉冲能量额定雪崩
• SOA是功耗有限公司
•纳秒的开关速度
•线性传输特性
•高输入阻抗
• 175
o
C的工作温度
•相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
IRFU110
IRFR110
包
TO-251AA
TO-252AA
BRAND
IFU110
IFR110
符号
D
注:订货时,使用整个零件编号。
G
S
包装
JEDEC TO- 251AA
来源
漏
门
JEDEC TO- 252AA
门
来源
漏极(法兰)
漏极(法兰)
4-371
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
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版权
©
Intersil公司1999